編輯-Z ASEMI整流橋MB6S參數: 型號:MB6S 最大重復峰值反向電壓(VRRM):600V 最大RMS電橋輸入電壓(VRMS):420V 最大直流阻斷電壓(VDC):600V 最大平均正向整流輸出電流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):30A 每個元件 ...
編輯 Z MB S在MBS 封裝里采用的 個芯片,其尺寸都是 MIL,是一款小方橋 貼片橋堆。MB S的浪涌電流Ifsm為 A,漏電流 Ir 為 uA,其工作時耐溫度范圍為 攝氏度。MB S采用GPP芯片材質,里面有 顆芯片組成。MB S的電性參數是:正向電流 Io 為 A,反向耐壓為 V,正向電壓 VF 為 . V,恢復時間 Trr 達到 ns,其中有 條引線。 型號:MB S 封裝:MBS S ...
2021-06-26 17:17 0 172 推薦指數:
編輯-Z ASEMI整流橋MB6S參數: 型號:MB6S 最大重復峰值反向電壓(VRRM):600V 最大RMS電橋輸入電壓(VRMS):420V 最大直流阻斷電壓(VDC):600V 最大平均正向整流輸出電流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):30A 每個元件 ...
編輯-Z MB6S在MBS-4 (SOP-4)封裝里采用的4個芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方橋、貼片整流橋堆。MB6S的浪涌電流Ifsm為30A,漏電流(Ir)為10uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。MB6S采用GPP芯片材質,里面有4顆芯片組成。MB6S的電性參數是:正向 ...
編輯-Z 整流橋堆MB6S,MBS-4貼片封裝,正向整流1A,反向耐壓600V,正向壓降1.0V,正向峰值浪涌電流30A,反向泄漏電流5UA,ASEMI四腳整流橋MB6S電路圖外觀參數如下: 型號:MB6S 封裝:MBS-4 (SOP-4) 特性:小方橋、貼片橋堆 電性參數:1A ...
編輯-Z 下面由ASEMI給大家全面解析大眾型號MB6S整流橋。這是MB6S整流橋芯片,如圖1,它的作用就是利用二極管的單向導通特性,將交流電轉換成直流電。 ASEMI整流橋MB6S,芯片的封裝形式為SOP-4貼片封裝,引腳間距為2.5mm。封裝材料為環氧樹脂。如圖 ...
編輯-Z MB10S在MBS-4封裝里采用的4個芯片,其尺寸都是50MIL,是一款薄貼片整流橋。MB10S的浪涌電流Ifsm為30A,漏電流(Ir)為5uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。MB10S采用GPP芯片材質,里面有4顆芯片組成。MB10S的電性參數是:正向電流(Io ...
流(Ir):5uA 工作溫度:-55~+150℃ 引線數量:4 ASEMI整流橋MB10 ...
編輯-Z MB10F是在MB10S系列基礎上根據用戶需求開發生產的新型號。從參數功能上看,MB10F就像是瘦身成功的MB10S,那么哪個比較好? ASEMI整流橋MB10S和MB10F詳細對比: 整流橋MB10S和MB10F的電氣參數相同:正向電流(Io)為1A,反向電壓為1000V ...
編輯-Z ASEMI整流橋MB10S參數: 型號:MB10S 最大重復峰值反向電壓(VRRM):1000V 最大有效值電壓(VRMS):700V 最大直流阻斷電壓(VDC):1000V 最大平均正向輸出整流電流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):30A 每個元件 ...