原文:MB10S-ASEMI整流橋MB10S介紹

編輯 Z MB S在MBS 封裝里采用的 個芯片,其尺寸都是 MIL,是一款薄貼片整流橋。MB S的浪涌電流Ifsm為 A,漏電流 Ir 為 uA,其工作時耐溫度范圍為 攝氏度。MB S采用GPP芯片材質,里面有 顆芯片組成。MB S的電性參數是:正向電流 Io 為 . A,反向耐壓為 V,正向電壓 VF 為 . V,恢復時間 Trr 達到 ns,其中有 條引線。 型號:MB S 封裝:MBS S ...

2021-06-08 17:27 0 1241 推薦指數:

查看詳情

ASEMI整流橋MB10S參數,MB10S封裝,MB10S規格書

編輯-Z ASEMI整流橋MB10S參數: 型號:MB10S 最大重復峰值反向電壓(VRRM):1000V 最大有效值電壓(VRMS):700V 最大直流阻斷電壓(VDC):1000V 最大平均正向輸出整流電流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):30A 每個元件 ...

Fri Jan 21 00:14:00 CST 2022 0 725
ASEMI整流橋MB10SMB10F詳細對比,哪個比較好?

編輯-Z MB10F是在MB10S系列基礎上根據用戶需求開發生產的新型號。從參數功能上看,MB10F就像是瘦身成功的MB10S,那么哪個比較好? ASEMI整流橋MB10SMB10F詳細對比: 整流橋MB10SMB10F的電氣參數相同:正向電流(Io)為1A,反向電壓為1000V ...

Thu Apr 07 22:50:00 CST 2022 0 743
MB6S-ASEMI整流橋MB6S

編輯-Z MB6S在MBS-4封裝里采用的4個芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方、貼片堆。MB6S的浪涌電流Ifsm為30A,漏電流(Ir)為5uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。MB6S采用GPP芯片材質,里面有4顆芯片組成。MB6S的電性參數是:正向電流(Io)為1A ...

Sun Jun 27 01:17:00 CST 2021 0 172
ASEMI-MB6S貼片整流橋參數MB6S

編輯-Z MB6S在MBS-4 (SOP-4)封裝里采用的4個芯片,其尺寸都是50MIL,是一款小方、貼片整流橋堆。MB6S的浪涌電流Ifsm為30A,漏電流(Ir)為10uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。MB6S采用GPP芯片材質,里面有4顆芯片組成。MB6S的電性參數是:正向 ...

Sat Nov 06 23:57:00 CST 2021 0 989
ASEMI整流橋MB6S參數,MB6S規格尺寸,MB6S特征應用

編輯-Z ASEMI整流橋MB6S參數: 型號:MB6S 最大重復峰值反向電壓(VRRM):600V 最大RMS電橋輸入電壓(VRMS):420V 最大直流阻斷電壓(VDC):600V 最大平均正向整流輸出電流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):30A 每個元件 ...

Tue Jan 11 00:47:00 CST 2022 0 812
ASEMI整流橋MB10F參數,MB10F特征,MB10F機械數據

編輯-Z ASEMI整流橋MB10F參數: 型號:MB10F 最大重復峰值反向電壓(VRRM):1000F 最大有效值電壓(VRMS):700V 最大直流阻斷電壓(VDC):1000V 最大平均正向輸出整流電流(IF(AV)):1A 峰值正向浪涌電流(IFSM):35A 最大瞬時 ...

Wed Jan 12 00:58:00 CST 2022 0 3891
ASEMI四腳整流橋MB6S電路圖

編輯-Z 整流橋MB6S,MBS-4貼片封裝,正向整流1A,反向耐壓600V,正向壓降1.0V,正向峰值浪涌電流30A,反向泄漏電流5UA,ASEMI四腳整流橋MB6S電路圖外觀參數如下: 型號:MB6S 封裝:MBS-4 (SOP-4) 特性:小方、貼片堆 電性參數:1A ...

Wed Jun 09 01:26:00 CST 2021 0 1524
 
粵ICP備18138465號   © 2018-2025 CODEPRJ.COM