存儲器（5）動態RAM刷新
動態RAM刷新 動態RAM刷新原因：電容容易漏電，需要對電容充電刷新，防止信息丟失。 刷新與行地址有關，與列地址沒有關系，每一次刷新的是這一行上所有基本單元電路的信息 一、集中式刷新（刷新時間集中在一起） 刷新周期：每一次刷新一行基本存儲電路，所有的電容都要刷新一次的時間 ...
原文：【RAM for Logisim】MIPS字節/高低字/雙字訪問RAM動態存儲器設計(根據中國大學MOOC自己動手畫cpu設計)
前言 .logisim一般情況下突破了一些關於電子器件的實現細節，是一個不錯的理論型自學平台。 .在計算機工作原理中有些指令不可能只寫在一個存儲單元中，而且過高的存儲單元位數可能造成內存空間的浪費，從而達不到較好的內存管理效果。 .本章希望通過擴展 位內存單元的隨機存儲器，達到理解匯編語言中字節 字 雙字的訪問原理。 正文 要求： . 字節訪問 位，字訪問 高字 低字 位，雙字 位 要求高 位從讀 ...
2020-10-08 11:19 2 1180 推薦指數：
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