雙端口RAM
提高存儲器訪存速度一些措施。
存取周期
進行一次存取之后，是不能立即進入下一次存取的，存儲器要進行一次恢復。
存取周期=存取時間+恢復時間
- 對不同時間進行不同存取操作，雙端RAM
- 流水線的方式，多模塊存儲器
雙端口RAM
置一個忙信號。
多模塊存儲器
CPU的速度比存儲器要快的，如果從存儲器中同時存取n個字。可以提高cpu使用資源
補充：可以並行工作，如總線寬度為mW時，可以同時取出長度為mW的數據。
普通存儲器
每行為1個存儲單元
單體多字存儲器
每個存儲單元存儲m個字，總線寬度也為m個字，一行並行讀出m個字。
增加了存儲器的帶寬。
缺點：指令和數據在主存內必須連續存放。
多體並行的存儲器
每個模塊都有相同的容量和存取速度，各個模塊都有獨立的讀寫控制電路、地址寄存器和數據寄存器
編制方式：
高位交叉編址的多體存儲器
高位是體號，低位是體內地址
假如有8個存儲單元
相當於說，先確定是哪一個（存儲體），然后在在那一個里面找相對應的一塊。
低位交叉編址的多提存儲器
低位是體號，高位是體內地址
假如有8個存儲單元
先找到具體的位置，在看哪一個存儲體。
為什么要這么弄？
假如每個存儲體的存儲周期為T
連續訪問：
00000
00001
00010
00011
00100
高位
其實就是在M0里一直訪問
時空圖：
如果連續訪問這個5個地址，需要花費5t個時間。並沒有帶來什么好處。
高位交叉編址相當於擴容，每個其實還是相當於獨立的，並沒有帶來時間優勢。
采用高位交叉編址，連續取n個存儲字，耗時nT
低位
先訪問M0的0號單元，接下來00001，是M1的0號單元，只需要間隔一小段時間。然后就是M2，M3.都是用一小段時間。可以相當於是同時訪問。大大減少了存取時間。
時空圖：
時間如何計算？
假設啟動完M0后啟動M1的時間間隔是τ，啟動完M1在啟動M2的時間間隔是τ、啟動完M2在啟動M3的時間間隔是τ，接下來啟動完M3在啟動M0的時間間隔也是τ
所以就有總時間T+4τ
假如連續存取n個存儲字，采用低位交叉編址，耗時：T+(n-1)τ
流水線（考試常考）
微觀（計算題）
有m個存儲體，存儲周期是T，字長W，每隔r時間啟動下一個存儲體，連續存放n個字，求存儲器的存取速率。
如果m<T/r
還需要在等多一個r
如果m>T/r
所以：
如果n較大時，帶寬->W/r
對比單個存儲體的帶寬：W/T
宏觀（概念題）
一個存儲周期內，交叉存儲器可以提供的數據量為單個模塊的m倍。
回顧
提出這樣的存儲器是為了提高CPU的訪存速度
