MOS模擬集成電路設計[1].2版-艾倫 模擬CMOS集成電路設計(拉扎維)【581頁】 模擬集成電路的分析與設計(第四版)[美]Paul R.Gray 以上為三大聖經(業界經典,搞純模電必看) 新概念模擬電路 模擬和數字電子電路基礎(MIT課本) 模擬電路設計手冊(ADI神書 ...
推薦參考書 電子技術基礎模擬部分第六版 .康華光.高等教育出版社 太長不看版 第一章 Ri與Ro對電路的影響 Ri大從信號源攝取電壓能力越大,Ro越小電路帶負載能力越好 頻率失真 線性失真,與輸入信號有關 幅度失真 不同f,A不同 相位失真 不同f, 不同 非線性失真:由放大器件本身特性引起 帶寬BW fH fL 第二章 滿足虛短虛斷的條件:深度負反饋 理想運放 v vom,v vom 開環電壓增 ...
2020-09-02 10:42 0 460 推薦指數:
MOS模擬集成電路設計[1].2版-艾倫 模擬CMOS集成電路設計(拉扎維)【581頁】 模擬集成電路的分析與設計(第四版)[美]Paul R.Gray 以上為三大聖經(業界經典,搞純模電必看) 新概念模擬電路 模擬和數字電子電路基礎(MIT課本) 模擬電路設計手冊(ADI神書 ...
光耦一般用於信號的隔離。當兩個電路的電源參考點不相關時,使用光耦可以保證在兩邊不共地的情況下,完成信號的傳輸。 1)光耦的基本原理 光耦的原理圖如下所示,其內部可以看做一個特殊的“三極管”;一般的 ...
我們都知道,MOS管作為電路中最常見的一類器件,但是其作用各不相同,今天我們就來介紹一下MOS的基礎之后再介紹關於MOS管的實際應用 小功率MSO管的結構 首先,我們知道MOS管分為 N 溝 ...
集成運放小解 (一)我們首先要去理解虛短、虛斷。這是構成運放的始終 ① 虛斷:2、3兩點之間斷路,無電流(多少有點) 虛短:2、3兩點電壓一樣,無壓差(多少有點) ②為什么運放會存在虛斷 ...
二極管 1、在雜質半導體中,多數載流子的濃度主要取決於摻入的 雜質濃度,而少數載流子的濃度則與 溫度有很大關系。2、當PN結外加正向電壓時,擴散電流大於漂移電流,耗盡層變窄。當外加反向電壓時,擴散電 ...
1、在直流電源(Vcc)和地之間並接電容的電容可稱為濾波電容.濾波電容濾除電源的雜波和交流成分,壓平滑脈動直流電,儲存電能.取值一般100-4700uF.取值與負載電流和對電源的純凈度有關,容量越大越 ...
磁珠的前世今生 引言 磁珠的介紹 磁珠的組成 磁珠與電感的區別和聯系 磁珠的選用 引言 當我們在電氣圖紙中經常會看到一些FB元器件,這 ...
耦合方式及其優缺點 阻容耦合 變壓器耦合 直接耦合 一般情況下,單個三極管構成的放大電路的放大倍數是有限的,只有幾十倍,這就很難滿足我們的實際需 ...