《模電》重點

推薦參考書

1、《電子技術基礎模擬部分第六版》.康華光.高等教育出版社

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太長不看版

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第一章

1、Ri與Ro對電路的影響

Ri大從信號源攝取電壓能力越大，Ro越小電路帶負載能力越好

 

2、頻率失真（線性失真，與輸入信號有關）

幅度失真	不同f,A不同
相位失真	不同f,φ不同

非線性失真：由放大器件本身特性引起

帶寬BW=f_H-f_L

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第二章

1、滿足虛短虛斷的條件：深度負反饋

2、理想運放

①v+=v_om,v-=-v_om

②開環電壓增益A_vo→∞

③理想運放r_i→∞

④r_o→∞

⑤BW→∞

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第三章

① 

N型半導體	多子：自由電子	少子：空穴
P型半導體	多子：空穴	少子：自由電子

②多子與摻雜濃度有關

少子與溫度有關

③PN結的基本特性

漂移運動：電場引起

擴散運動：濃度差引起

加正向電壓：削弱內電場→耗盡層變寬，擴散運動>漂移運動→擴散正向電流IF

加反向電壓：增強內電場→耗盡層變寬→漂移運動>擴散運動→少子漂移形成反向電流IR（與溫度有關）

 

 ④PN結等效擴散電容C_D,勢壘電容C_B

⑤二級管的分析：理想模型、恆壓降模型

分析方法：將二極管斷開，計算兩端電壓

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第四章：場效應管

1、工作區域的判斷

①N溝道

飽和區	VGS>VTN,VDS>VGS-VTN
可變電阻區	VGS>VTN,VDS<VGS-VTN
截止區	VGS<VTN

計算公式：

恆流區：i_D=K_n（V_GS-V_TN）² ;r_ds=1/(λi_D);g_m=2K_n（V_GS-V_TN）

可變電阻區：i_D=K_n【2（v_GS-V_TN）v_DS-V_DS²】

 

②P溝道

飽和區	VGS<VTN,VDS<VGS-VTN
可變電阻區	VGS<VTN,VDS>VGS-VTN
截止區	VGS>VTN

N溝道與P溝道公式相同，只是若以流入柵極方向為正，則P溝道iD前需加-

N溝道	P溝道

 

2、轉移特性曲線的對比

N增強	N耗盡	JFET

 

P增強	P耗盡	JFET

 

3、放大信號的本質

i_D=g_m·V_gs

電壓控制的電流源

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第五章  

1、放大信號的本質

i_c=βi_b

電流控制的電流源

2、三個區域工作條件

放大區	發射正（>0.7），集電反
飽和區	發射正，集電正
截止區	發射<0.7，集電反

3、失真

Q過高：飽和失真

Q過低：截止失真

N型管

截止失真	飽和失真

 

P型管

截止失真	飽和失真

 

4、射極偏置電路

如何穩定Q點：基極分壓與射極電阻R_e負反饋控制

IBQ小：T↑→ICQ↑→VE↑→VBE↓→ICQ↓

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第六章

	RC高通電路	RC低通電路
幅頻響應曲線
相頻響應曲線

 ③影響管子頻率響應的因素

耦合電容、旁路電容：影響管子低頻特性

結電容：影響管子高頻特性

④增益帶寬積=增益*帶寬=定值

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第八章 

1、反饋系數F=x_F/x_o

2、反饋深度1+AF  開環增益A=x_o/x_id

 

①

（1+AF）>1時，負反饋

（1+AF）>>1時，深度負反饋。閉環增益A_f=1/F,虛短虛斷→負反饋放大電路的閉環增益或閉環電壓增益

②|1+AF|<1時，正反饋

③|1+AF|=0，自激振盪

電壓串聯	電壓並聯
Avf	Avf
電流串聯	電流並聯
Agf	Aif

 

Af=1/F,深度負反饋

輸入電阻、輸出電阻的影響

電壓：減小輸出電阻  串聯：提高輸入電阻

電流：增大輸出電阻  並聯：減小數輸入電阻 

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第九章 

乙類雙電源互補對稱電路

①消除交越失真

②

輸出功率
直流電源供給功率
效率	η=78.5%
（單）管耗

 

 

 ③功率管的選擇

最大管耗	0.2Pom
最大反向電流	VCC/RL
最大反向電壓	2VCC

單電源時，所有V_CC改成1/2·V_CC

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第十章

1、判斷高通、低通、帶阻、帶通

高通
低通
帶通		fL<fH
帶阻		fL>fH

 

2、

一階有源濾波電路頻帶外衰減速率	-20dB/十倍頻
二階	-40dB/十倍頻
三階	-60dB/十倍頻

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第十一章

1、整流濾波、穩壓電路

調整管、基准電壓