二極管
1、在雜質半導體中，多數載流子的濃度主要取決於摻入的 雜質濃度，而少數載流子的濃度則與 溫度有很大關系。
2、當PN結外加正向電壓時，擴散電流大於漂移電流，耗盡層變窄。當外加反向電壓時，擴散電流小於漂移電流，耗盡層變寬。
3、在N型半導體中，電子為多數載流子，空穴為少數載流子。
4、在常溫下，硅二極管的門限電壓約0.5V，導通后在較大電流下的正向壓降約
0.7V；鍺二極管的門限電壓約0.1V，導通后在較大電流下的正向壓降約0.2V。
5、穩壓管是利用硅PN結在某種摻雜條件下反向擊穿特性陡直的特點而制成的二極管，
6、二極管PN結的伏安特性可用式表示Id=Is（e^(V/VT)-1）式中，ID為流過PN結的電流；Is為PN結的反向飽和電流，是一個與環境溫度和材料等有關的參數；VT=kT/q，為溫度的電壓當量，在常溫下VT=26mv
三極管
1）三極管放大作用的內部條件是發射區雜質濃度要(大於)於基區和集電區雜質濃度，同時基區厚度要(薄)；外部條件是發射結要(正向)偏置、集電結要(反向)偏置
（2）三極管的三個工作區域分別是(放大)、(飽和)和(截止)。
（3）在由NPN管組成的單管基極偏流共射放大電路中，當Q點太（高），容易產生飽和失真，其輸出電壓的（底部）波形被削掉；當Q點太（低）時，容易產生截止失真，其輸出電壓的（頂部）波形被削掉。如果放大電路產生截止失真，有效的解決辦法是將電阻Rb阻值（減小），如果放大電路產生飽和失真，有效的解決辦法是將電阻Rb阻值（增大）。
（4）NPN三極管輸出電壓的底部失真都是（飽和）失真。
（5）PNP三極管輸出電壓的底部失真都是（截止）失真。
場效應管
1. 場效應管利用外加電壓產生的電場來控制漏極電流的大小，因此它是（ 電壓 ）控制器件。
2. 為了使結型場效應管JFET正常工作，柵源間兩PN結必須加 （反向 ）電壓來改變導電溝道的寬度，它的輸入電阻比金屬氧化物MOS管的輸入電阻（ 小 ）。
4. 對於耗盡型金屬氧化物MOS管，VGS可以為（ 負、0、正 ）。
5. 對於增強型N型溝道MOS管，VGS只能為（ 正 ），並且只能當VGS >VTH 時，才能有電流。
6. 場效應管屬於（ 電壓 ）控制器件，而三極管屬於（ 電流 ）控制器件。
7. 場效應管放大器常用偏置電路一般有自偏壓式電路和分壓式偏置電路兩種類型。而增強型MOS管只適用於 （ 分壓式 ）偏置電路。
8. 由於晶體三極管 是電子、空穴兩種載流子同時參與導電 ，所以將它稱為（ 雙極型 ）的，由於場效應管 只有多數載流子參與導電 ，所以將其稱為（ 單極性 ）的。
功率放大器
1、根據放大電路靜態工作點在交流負載線上所處位置的不同，可將放大管的工作狀態分為（ 甲類 ）、（ 乙類 ）、（ 甲乙類 ）和丙類四種。
甲類工作方式靜態工作點取在交流負載線的（ 中點 ），放大管的導通角為（ 360 ）；甲類工作方式最大轉換效率（ 50% ）（峰值功率）。
乙類工作方式靜態工作點Q下移至iC=0處，放大管的導通角為（ 180 ），當不加輸入信號（靜態）晶體管沒有電流通過，此時管子功率損耗為零。乙類功放減少了靜態功耗，所以效率與甲類功放相比較高，理論值可達（ 78.5%），但出現了嚴重的（ 交越 ）失真，為了克服這種失真功率放大器多采用（甲乙類）類工作形式，使功放管處於微導通狀態。