二极管
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度，而少数载流子的浓度则与 温度有很大关系。
2、当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
4、在常温下，硅二极管的门限电压约0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约
0.7V；锗二极管的门限电压约0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约0.2V。
5、稳压管是利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，
6、二极管PN结的伏安特性可用式表示Id=Is（e^(V/VT)-1）式中，ID为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数；VT=kT/q，为温度的电压当量，在常温下VT=26mv
三极管
1）三极管放大作用的内部条件是发射区杂质浓度要(大于)于基区和集电区杂质浓度，同时基区厚度要(薄)；外部条件是发射结要(正向)偏置、集电结要(反向)偏置
（2）三极管的三个工作区域分别是(放大)、(饱和)和(截止)。
（3）在由NPN管组成的单管基极偏流共射放大电路中，当Q点太（高），容易产生饱和失真，其输出电压的（底部）波形被削掉；当Q点太（低）时，容易产生截止失真，其输出电压的（顶部）波形被削掉。如果放大电路产生截止失真，有效的解决办法是将电阻Rb阻值（减小），如果放大电路产生饱和失真，有效的解决办法是将电阻Rb阻值（增大）。
（4）NPN三极管输出电压的底部失真都是（饱和）失真。
（5）PNP三极管输出电压的底部失真都是（截止）失真。
场效应管
1. 场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是（ 电压 ）控制器件。
2. 为了使结型场效应管JFET正常工作，栅源间两PN结必须加 （反向 ）电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比金属氧化物MOS管的输入电阻（ 小 ）。
4. 对于耗尽型金属氧化物MOS管，VGS可以为（ 负、0、正 ）。
5. 对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为（ 正 ），并且只能当VGS >VTH 时，才能有电流。
6. 场效应管属于（ 电压 ）控制器件，而三极管属于（ 电流 ）控制器件。
7. 场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压式电路和分压式偏置电路两种类型。而增强型MOS管只适用于 （ 分压式 ）偏置电路。
8. 由于晶体三极管 是电子、空穴两种载流子同时参与导电 ，所以将它称为（ 双极型 ）的，由于场效应管 只有多数载流子参与导电 ，所以将其称为（ 单极性 ）的。
功率放大器
1、根据放大电路静态工作点在交流负载线上所处位置的不同，可将放大管的工作状态分为（ 甲类 ）、（ 乙类 ）、（ 甲乙类 ）和丙类四种。
甲类工作方式静态工作点取在交流负载线的（ 中点 ），放大管的导通角为（ 360 ）；甲类工作方式最大转换效率（ 50% ）（峰值功率）。
乙类工作方式静态工作点Q下移至iC=0处，放大管的导通角为（ 180 ），当不加输入信号（静态）晶体管没有电流通过，此时管子功率损耗为零。乙类功放减少了静态功耗，所以效率与甲类功放相比较高，理论值可达（ 78.5%），但出现了严重的（ 交越 ）失真，为了克服这种失真功率放大器多采用（甲乙类）类工作形式，使功放管处于微导通状态。