場效應管的工作原理及特性 場效應管(FET)分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管,即金屬-氧化物-半導體。下面以增強型NMOS為例,介紹MOS管的工作原理。 MOS管的基本結構 增強型NMOS的結構圖如圖 18所示 ...
mos管,mos管的安全工作區 什么是mos管 mos管是金屬 metal 氧化物 oxide 半導體 semiconductor 場效應晶體管,或者稱是金屬 絕緣體 insulator 半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。 電源工程師最怕 ...
2020-07-27 09:46 0 848 推薦指數:
場效應管的工作原理及特性 場效應管(FET)分為結型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)管,即金屬-氧化物-半導體。下面以增強型NMOS為例,介紹MOS管的工作原理。 MOS管的基本結構 增強型NMOS的結構圖如圖 18所示 ...
MOS管分為N溝型MOS管和P溝型MOS管 N溝型 ...
(一)http://v.youku.com/v_show/id_XMTM2NzcwMjE5Ng==.html (二)http://v.youku.com/v_show/id_XMTM2NzcwMjM ...
首頁 新聞 博問 專區 閃存 班級 2 ...
箭頭背向G極的是P溝道 寄生二極管方向如何判定 不論N溝道還是P溝道MOS管,中間襯底箭頭方 ...
題目:CMOS反相器的功耗主要包括哪幾部分?分別與哪些因素相關?P_dynamic 是電路翻轉產生的動態功耗P_short是P管和N管同時導通時產生的短路功耗P_leakage 是由擴散區和襯底之間的反向偏置漏電流引起的靜態功耗靜態功耗:CMOS反相器在靜態時,P、N管只有一個導通。由於沒有Vdd ...
http://anlx27.iteye.com/blog/1583089 學過模擬電路,但都忘得差不多了。重新學習MOS管相關知識,大多數是整理得來並非原創。如有錯誤還請多多指點! 先上一張圖 一、 一句話MOS管工作原理 NMOS的特性,Vgs大於一定的值 ...
根據電力二次系統的特點,划分為生產控制大區和管理信息大區。生產控制大區分為控制區(安全區Ⅰ)和非控制區(安全區Ⅱ)。信息管理大區分為生產管理區(安全區Ⅲ)和管理信息區(安全區Ⅳ)。不同安全區確定不同安全防護要求,其中安全區Ⅰ安全等級最高,安全區Ⅱ次之,其余依次類推。 安全區Ⅰ典型系統:調度 ...