題目：CMOS反相器的功耗主要包括哪幾部分？分別與哪些因素相
關？
P_dynamic 是電路翻轉產生的動態功耗
P_short是P管和N管同時導通時產生的短路功耗
P_leakage 是由擴散區和襯底之間的反向偏置漏電流引起的靜態功耗
靜態功耗：CMOS反相器在靜態時，P、N管只有一個導通。由於沒有Vdd到GND的直流桐廬，所以
CMOS的靜態功耗應該等於零。但實際上，由於擴散區和襯底的PN結上存在反向漏電流，所以會產生靜
態功耗。
短路功耗：CMOS電路在“0”和“1”的轉換過程中，P、N管會同時導通，產生一個由Vdd到VSS窄脈沖電
流，由此引起功耗
動態功耗：C_L 這個CMOS反相器的輸出負載電容，由NMOS和PMOS晶體管的漏擴散電容、連線電容
和扇出門的輸入電容組成。
