數字芯片低功耗設計分析-Mos管基礎
首先我們要分析Cmos電路的功耗來源。 高器件延遲的Cmos電路之所以能取代低延遲的TLL，最大的優點之一就是功耗低，主要原因靜止狀態下截止電流極低。原因在於Cmos（Complemetary Symmetry Metal-Oxide-Semiconductor Circuit) 內部 ...
原文：mos管功耗
題目：CMOS反相器的功耗主要包括哪幾部分 分別與哪些因素相關 P dynamic 是電路翻轉產生的動態功耗P short是P管和N管同時導通時產生的短路功耗P leakage 是由擴散區和襯底之間的反向偏置漏電流引起的靜態功耗靜態功耗：CMOS反相器在靜態時，P N管只有一個導通。由於沒有Vdd到GND的直流桐廬，所以CMOS的靜態功耗應該等於零。但實際上，由於擴散區和襯底的PN結上存在反向漏電 ...
2020-06-11 10:04 0 787 推薦指數：
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