（一）http://v.youku.com/v_show/id_XMTM2NzcwMjE5Ng==.html
（二）http://v.youku.com/v_show/id_XMTM2NzcwMjMwNA==.html
（三）
如下圖，如果在門極和襯底之間加垂直電場（注意這個電場並不能在門極和襯底之間形成電流，原因是門極和襯底之間有一層二氧化硅），這個電場會把N型半導體中的多子（空穴）往下推，會把P型半導體中的少子（自由電子）往上吸，這樣就會形成左邊箭頭指的反型層，相當於在兩口井之間形成導電溝道，這個溝道把兩口井連在了一起，這個時候如果再在漏源(D-S)之間加電場，就導電了。
源極和襯底之間默認是連接的。
N溝道P型襯底
P溝道N型襯底
符號記憶方法：箭頭方向是內電場方向（非外加電場）
