N型半導體（N為Negative的字頭，由於電子帶負電荷而得此名）：摻入少量雜質磷元素（或銻元素）的硅晶體（或鍺晶體）中，由於半導體原子（如硅原子）被雜質原子取代，磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半導體原子形成共價鍵，多出的一個電子幾乎不受束縛，較為容易地成為自由電子。於是，N型半導體就成為了含電子濃度較高的半導體，其導電性主要是因為自由電子導電。N型半導體顯示負電，
P型半導體（P為Positive的字頭，由於空穴帶正電而得此名）：摻入少量雜質硼元素（或銦元素）的硅晶體（或鍺晶體）中，由於半導體原子（如硅原子）被雜質原子取代，硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導體原子形成共價鍵的時候，會產生一個“空穴”，這個空穴可能吸引束縛電子來“填充”，使得硼原子成為帶負電的離子。這樣，這類半導體由於含有較高濃度的“空穴”（“相當於”正電荷），成為能夠導電的物質。[2]
單向導電性
（1）PN結加正向電壓時導通：
如果電源的正極接P區，負極接N區，外加的正向電壓有一部分降落在PN結區，PN結處於
正向偏置。電流便從P型一邊流向N型一邊，空穴和電子都向界面運動，使空間電荷區變窄，電流可以順利通過，方向與PN結內
電場方向相反，削弱了內電場。於是，內
電場對多子擴散運動的阻礙減弱，擴散電流加大。擴散電流遠大於
漂移電流，可忽略漂移電流的影響，PN結呈現低阻性。[6]
（2）PN結加反向電壓時截止：
如果電源的正極接N區，負極接P區，外加的反向電壓有一部分降落在PN結區，PN結處於反向偏置。則空穴和電子都向遠離界面的方向運動，使空間電荷區變寬，電流不能流過，方向與PN結內
電場方向相同，加強了內
電場。內電場對多子擴散運動的阻礙增強，擴散電流大大減小。此時PN結區的
少子在內電場作用下形成的
漂移電流大於擴散電流，可忽略擴散電流，PN結呈現高阻性。
MOS管結構：
NMOS保證截止，發生在G電位小於等於S，PMOS保證截止，發生在G電位大於等於S。
寄生二極管是因為基底與Source連接形成的PN結。
上圖為NMOS，為了在Gate與Pypte中加偏壓形成N-Channel，BODY與S連接。
反向保護電路中用到PMOS，不用使用二極管是壓降更小耗散無用功更少。別看有一個寄生正向二極管，但它完全沒有用處。在電路正常通電時，GATE接在遠低於D端的0電位上，此PMOS是完全導通的。反接電源時GATE的電位又遠高於S端，PMOS完全截止。
上圖是四軸中的一個H Brige，這里就是PMOS,NMOS驅動的典型用法。
一倍自舉電路
兩倍自舉電路