近年來，片上存儲器發展迅速，根據國際半導體技術路線圖（ITRS），隨着超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發展，晶體管特征尺寸進一步縮小，半導體存儲器在片上存儲器上所占的面積比例也越來越高。接下來宇芯電子介紹SRAM的工作原理以及工作過程。 SRAM 寫操作。寫操作就是把數據寫入指定的SRAM ...

SRAM大多是由CMOS管組成的揮發性靜態存儲器。在掉電后存儲器中所存數據就會丟失。隨機靜態存儲器可以對任何地址進行讀寫操作，通過鎖存器的原理對數據進行保存，在無操作狀況下，鎖存器處於穩態，保持數據穩定，不用進行周期性的電荷刷新。SRAM由基本單元構成的陣列以及外圍電路構成，其中陣列的划分和外圍 ...

SRAM、TCAM 　　靜態隨機存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是隨機存取存儲器的一種。所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恆常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地更新 ...

一個SRAM單元如上圖所示，M1 M2，M3 M4分別組成反相器，兩個反相器首尾相連。M5與M6為兩個NOMS，他們的柵極連接再WL上，讀寫時，都需要在WL上加電壓。 如何讀取SRAM中存儲的電壓 當讀取時，BLn和 BL兩根線上加標准電壓。假設Q為高電平（Q=1），Qn則為 ...

1. SRAM芯片的常用引腳：地址線、數據線、讀寫控制線、選擇線。 2. SRAM芯片的引腳位數： 地址線的位數 = 芯片內的字數，例如：1024個字的芯片應該有10位地址線（1024 = 2^10，也就是1KB）。 數據線的位數 = 每個存儲單元的位數，例如：1K x 8b的芯片 ...

SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。SRAM具有較高的性能，功耗較小。SRAM主要用於二級高速緩存。它利用晶體管來存儲數據。但是SRAM也有它的缺點，集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM ...

特點簡介： SRAM ：靜態RAM，不用刷新，速度可以非常快，像CPU內部的cache，都是靜態RAM，缺點是一個內存單元需要的晶體管數量多，因而價格昂貴，容量不大。 DRAM：動態RAM，需要刷新，容量大。 SDRAM：同步動態RAM，需要刷新，速度較快，容量大。 DDR SDRAM：雙通道 ...

首先來看一下並口和串口的區別：引腳的區別： 串口SRAM（或其它存儲器）通常有如下的示意圖： 串口SRAM引腳 引腳只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8個，一般遵循SPI協議，並口SRAM引腳很多，串口SRAM引腳很少。大部分SRAM是並口 ...