原文:靜態功耗 計算

大概在遙遠的 nm之前,leakage power在library里確實是被描述成一個常值的。但從 nm開始,為了更加精確,library里的leakage power不再是個常值了,而是被模擬成一個輸入狀態的函數。所以基礎還是library,在一個library里跟leakage相關的變量大致有: library my lib leakage power unit: nW default le ...

2019-08-25 23:28 0 574 推薦指數:

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靜態功耗產生的原因

從20世紀80年代采用CMOS電路開始,電路設計者們便體會到了這一技術的優勢,但與先進 技術伴隨而來的是日益嚴重的功耗問題。在早期的電路設計中,靜態功耗並不是考慮的重點,這是 因為在這一階段,CMOS電路的功率消耗很大程度上取決於電路的開關活動,當電路翻轉活動停止 時,靜態功耗幾乎可以忽略 ...

Tue Dec 31 05:10:00 CST 2019 0 1560
LDO功耗計算

低壓差線性穩壓器功耗主要是輸入電壓,輸出電壓以及輸出電流的函數。下列方程式可用來計算最惡劣情況下的功耗:   PD=(VINMAX- VOUTMIN )ILMAX。其中:PD = 最惡劣情況下的實際功耗,VINMAX = VIN 腳上的最大電壓,VOUTMIN = 穩壓器輸出的最小電壓,ILMAX ...

Thu Nov 22 08:15:00 CST 2012 0 5021
動態功耗計算

CMOS管功耗 = 動態功耗 + 靜態功耗 動態功耗有兩種表述,兩種表述的區別之處在於:把對管子內部電容充放電消耗的功耗歸於誰,第一種表述常見於理論分析,第二種表述常見於EDA工具功耗計算。 第一種表示: 動態功耗 = 開關功耗 + 短路功耗 開關功耗:指 ...

Mon Aug 26 08:04:00 CST 2019 0 2049
LDO功耗計算

低壓差線性穩壓器功耗主要是輸入電壓,輸出電壓以及輸出電流的函數。下列方程式可用來計算最惡劣情況下的功耗:   PD=(VINMAX- VOUTMIN )ILMAX。其中:PD = 最惡劣情況下的實際功耗,VINMAX = VIN 腳上的最大電壓,VOUTMIN = 穩壓器輸出的最小電壓 ...

Sat May 23 01:23:00 CST 2020 0 931
Android功耗計算

基於Android 6.0的源碼剖析。 Power_profile.xml文件demo: View Code 一、 概述 Android系統中的耗電統 ...

Mon Feb 03 02:14:00 CST 2020 0 691
芯片的整體功耗是如何計算出來的?

芯片的整體功耗都有哪些組成部分呢?最根本的組成部分有兩個,即靜態功耗和動態功耗。 1. 靜態功耗(Static Power),又稱漏電流功耗(Leakage Power)。其原理請參見下圖: 上圖中紅色箭頭表明了在通電狀態下PMOS內主要的泄露電流及其走向,意即: 泄漏 ...

Wed Apr 01 23:11:00 CST 2020 0 7485
Android 功耗(5)----功耗調試

本文就開始討論功耗的調試步驟和方法。 本文主要的內容如下: 一、明確調試的目標 二、明確調試的內容 三、參照電路框圖找出我們需要檢測的輸出 四、找出或引出需測試的輸出 五、功耗測試的步驟流程圖 一、明確調試的目標 明確調試的目標,即在滿足當前的需求情況下,盡最大的可能去降低 ...

Thu Sep 10 19:21:00 CST 2020 0 564
功耗的挑戰

在傳統的概念中,芯片工藝的改進將會帶來性能的提高,成本的降低。同時,由於芯片內核電壓的降低,其所消耗的功耗也隨之降低,這一點到0.13um時代也是正確的。 但是在工藝進入90nm時代,甚至於以后的40nm或更小的工藝,出現了一點反常,芯片功耗將顯著提高。 由於40nm工藝的內核 ...

Tue Mar 06 16:48:00 CST 2018 0 1019
 
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