發射極因為要發射載流子,所以摻雜濃度最高。集電極要收集載流子,所以濃度不能太高,但是面積要大,基極摻雜濃度很低同時很薄。 上圖中c的箭頭方向是發射結導通的方向。 三極管重要作用:電流放 ...
晶體管,本名:半導體三極管 三極分別為發射極 基極和集電極 其中,發射極的電流最大,基極的電流最小,發射極的電流等於基極與集電極的電流之和 。對於晶體管,我們其實並不陌生,放大器就是晶體管的一個基礎應用。 要想理解晶體管的工作原理,就必須先要理解二極管的工作原理。二極管由半導體材料制作而成,下面就以半導體材料硅為例來對此做介紹。硅的價電子層有四個電子 原子由原子核和核外電子組成,原子核由質子和中子 ...
2019-02-05 13:50 0 1308 推薦指數:
發射極因為要發射載流子,所以摻雜濃度最高。集電極要收集載流子,所以濃度不能太高,但是面積要大,基極摻雜濃度很低同時很薄。 上圖中c的箭頭方向是發射結導通的方向。 三極管重要作用:電流放 ...
簡易晶體管圖示儀 一、 NE555時鍾電路 關於555時鍾電路的參數計算: (參考網站:http://www.elecfans.com/tools/555dingshiqipinlv.html) T2 (off-time) = 0.693 * R2 * C1 T ...
3.2 雙極型晶體管 3.2.1 晶體管的結構和類型 基區與發射區之間的PN結稱為發射結(Je) 基區與集電區之間的PN結稱為集電結(Jc) 放大的外部條件:Je 正向電壓(正偏),Jc 反向電壓(反偏) 集電區:接收載流子 發射區:發射載流子 基區:控制載流子 雙極型晶體管 ...
目前常用的晶體管圖示儀,主要是測量,顯示晶體管的靜態(低頻)特性曲線,有些圖示儀可以將多個管子的特性曲線疊加顯示,通過觀察,了解不同管子特性的相似性。我們使用這種圖示儀,除了大致了解晶體管的靜態特性外,主要是用於配對。但用只能顯示特性曲線的圖示儀配對晶體管,效率是非常低的。下圖是8個同型號晶體管 ...
薄膜晶體管液晶顯示器顯示原理與設計 1 液晶顯示的基本概念 1.1 液晶簡介 1.2 液晶的特性 1.2.1 電學各向異性 1.2.2 光學各向異性 1.2.3 力學特性 1.2.4 其他特性 1.電阻率 2.黏度系數 3.相轉變溫度 1.3 偏光片 1.3.1 偏光片 ...
在電子電路中,放大的對象是變化量,放大的本質是在輸入信號的作用下,通過有源元件(晶體管或場效應管)對直流電源的能量進行控制和轉換,使負載從電源中獲得的輸出信號能量比信號源向放大電路提供的能量大的多。晶體管放大電路有共射、共集、共基三種接法,場效應管有共源、共漏接法(與晶體管放大電路共射、共集 ...
ALD和CVD晶體管薄膜技術 現代微處理器內的晶體管非常微小,晶體管中的一些關鍵薄膜層甚至只有幾個原子的厚度,光是英文句點的大小就夠容納一百萬個晶體管還綽綽有余。ALD 是使這些極細微結構越來越普遍的一種技術。 ALD 工藝直接在芯片表面堆積材料,一次沉積單層薄膜幾分之一的厚度,以盡可能生成 ...
芯片內億萬的晶體管制程工藝 一.原理 晶體管並非是安裝上去的,芯片制造其實分為沙子-晶圓,晶圓-芯片這樣的過程,而在芯片制造之前,IC涉及要負責設計好芯片,然后交給晶圓代工廠。 芯片設計分為前端設計和后端設計,前端設計(也稱邏輯設計)和后端設計(也稱物理設計)並沒有統一嚴格的界限,涉及到 ...