http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 場效應管種類場效應管 場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管 ...
場效應晶體管 Field Effect Transistor, FET 簡稱場效應管,是一種由多數載流子參與導電的半導體器件,也稱為單極型晶體管,它主要分型場效應管 Junction FET, JFET 和金屬 氧化物半導體場效應管 Metal Oxide Semiconductor FET,MOSFET ,屬於電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高 噪聲小 功耗低 動態范圍大 易於集成 無二次擊穿 ...
2018-01-15 14:27 0 2166 推薦指數:
http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 場效應管種類場效應管 場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管 ...
一、場效應管介紹 場效應管全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效應晶體管,英文全稱是Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor,取其英文全稱大寫首字母,簡稱MOS或MOSFET。它是電壓控制電流的元器件(即利用柵極電壓來控制漏 ...
場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。 ● 主要有兩種類型 結型場效應管(junction FET,簡稱JFET) 金屬氧化物半導體場效應管(metal-oxide semiconductor FET,簡稱 ...
編輯-Z 7N60在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。7N60的脈沖二極管正向電流(ISM)為28A,漏源擊穿電流(IDSS)為1uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。7N60的柵源電壓(VGS)為±30V,導通電阻RDS(on)為1.2Ω。7N60的電性參數 ...
編輯-Z ASEMI場效應管7N80怎么測量好壞?將萬用表撥到“RX1K”位置,將電調調到零。7N80的字面朝向自身,從左到右:G(柵極)、D(漏極)、S(源極)。先將黑色表筆接G極,再將紅色表筆分別接觸D極和S極,然后交換表筆,再進行測量。如果這兩次測量的結果都使萬用表的指針不動,那么初步判斷 ...
1.4 場效應管(FET) 1.4.2 絕緣柵型場效應管(MOS管) 一、N溝道增強型MOS管 1、結構 g柵極 s源極 d漏極 2、工作原理 習慣上把和B連在一起的叫做源極(s) 若g不動,ds間加電壓則無電流,因為兩個背靠背的PN結永遠有一個反偏,只能測到晶體管的漏電 ...
編輯-Z 25N120在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。25N120的脈沖二極管正向電流(IFM)為150A,G-E漏電流(IGES)為250nA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。25N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±20V。25N120的電性參數 ...
編輯-Z 15N120在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。15N120的二極管浪涌正向電流(IFM)為45A,G-E漏電流(IGES)為100nA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。15N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±20V。15N120的電性參數是:二極管 ...