1、DDR3管腳定義 》CK/CK# 全局差分時鍾,所有控制和地址輸入信號在CK上升沿和CK#的下降沿交叉處被采樣,輸出數據選通(DQS、DQS#)參考與CK和CK#的交叉點。 》CKE為時鍾使能信號,使能(高)和禁止(低)內電路和DRAM上的時鍾。由DDR3 SDRAM配置和操作模式決定特定 ...
轉自於:http: blog.csdn.net qq article details 關於DDR 布線的一些規范 個人總結 本規范為個人總結,介紹得比較簡單。當然,具體規范不止這么點。寫得不好的地方還請見諒。 . 一 阻抗方面DDR 要嚴格控制阻抗,單線 ohm,差分 ohm,差分一般為時鍾 DQS。以下為一個 層板阻抗層疊,具體信息可參考附件阻抗表文件。在走線過程中,盡量減小阻抗跳變的因素,比 ...
2017-08-11 21:56 0 3503 推薦指數:
1、DDR3管腳定義 》CK/CK# 全局差分時鍾,所有控制和地址輸入信號在CK上升沿和CK#的下降沿交叉處被采樣,輸出數據選通(DQS、DQS#)參考與CK和CK#的交叉點。 》CKE為時鍾使能信號,使能(高)和禁止(低)內電路和DRAM上的時鍾。由DDR3 SDRAM配置和操作模式決定特定 ...
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DDR3的設計有着嚴格等長要求,歸結起來分為兩類(以64位的DDR3為例): 數據 (DQ,DQS,DQM):組內等長,誤差控制在20MIL以內,組間不需要考慮等長;地址、控制、時鍾信號:地址、控制信號以時鍾作參考,誤差控制在100MIL以內,Address、Control與CLK歸為一組 ...
前面高速先生已經講解過眾多的DDR3理論和仿真知識,下面就開始談談我們LATOUT攻城獅對DDR3設計那些事情了,那么布局自然是首當其沖了。對於DDR3的布局我們首先需要確認芯片是否支持FLY-BY走線拓撲結構,來確定我們是使用T拓撲結構還是FLY-BY拓撲結構.。常規我們DDR3的布局滿足 ...
轉載於:http://www.elecfans.com/d/564054.html 多年前,無線時代(Beamsky)發布了一篇文章關於DDR布線指導的一篇文章,當時在網絡上很受歡迎,有很多同行參與了轉載。如今看來,那篇文章寫得不夠好,邏輯性不強,可操作性也不強。 在近幾年的硬件產品開發 ...
DDR3內存條和eMMC存儲器區別: 1. 存儲性質不同;2. 存儲容量不同;3. 運行速度不同;4. 用途不同。 具體區別如下: 1、存儲性質不同:eMMC是非易失性存儲器,不論在通電或斷電狀態下,數據都是可以存儲的,而DDR3 ...
FPGA DDR3調試 Spartan6 FPGA芯片中集成了MCB硬核,它可以支持到DDR3。在Xilinx的開發工具Xilinx ISE中提供了MIG IP核,設計者可以用它來直接生成 DDR3 控制器設計模塊,並通過 MIG 的 GUI 圖形界面完成相關配置。 首先,建立ISE工程 ...
一、硬件設計 1、DDR3顆粒一側,控制線、地址線線序不能交換; 2、DDR3顆粒一側,數據線可隨意交換; 3、FPGA一側,控制線、地址線、數據線均有專用引腳,需全部按要求連接。 這樣一是為了硬件布線能通,二是保證了FPGA分配引腳時不會亂,按照專用引腳規定的分配即可 ...