1、DDR3管腳定義
》CK/CK# 全局差分時鍾，所有控制和地址輸入信號在CK上升沿和CK#的下降沿交叉處被采樣，輸出數據選通（DQS、DQS#）參考與CK和CK#的交叉點。
》CKE為時鍾使能信號，使能（高）和禁止（低）內電路和DRAM上的時鍾。由DDR3 SDRAM配置和操作模式決定特定電路被使能和禁止。CKE為低時，提供預充電和自刷新操作（所有Bank都處於空閑），或有效掉電（在任何Bank里的行有效）。CKE與掉電狀態的進入、退出以及自刷新的進入同步。CKE與自刷新的退出異步，輸入Buffer（除了CKE、CK#、RESET#和ODT）在掉電期間被禁止。輸入Buffer（除了CKE和RESET#）在自刷新期間被禁止。CKE的參考值是VREFCA。
》CS#為片選信號，使能（低）和禁止（高）命令譯碼，大部分CS#為高時，所有命令被屏蔽、CS#提供了多Bank系統的Bank選擇功能，CS#是命令代碼的一部分，CS#的參考值是VREFCA。
》ODT片上終端使能。ODT使能（高）和禁止（低）片內終端電阻，在正常操作使能時，ODT僅對下面的引腳有效：DQ[7:0]、DQS、DQS#和DM。如果通過LOAD MODE命令禁止,OTD輸入被忽略。OTD的參考值是VREFCA。
》BA0、BA1、BA2為BANK地址輸入，用來確定當前的命令操作對哪個BANK有效。BA[2:0]定義在LOAD MODE命令器件哪個模式（MR0、MR1、MR2）被裝載，BA[2:0]的參考值是VREFCA.
》A0~A9、A10/AP、A11、A12/BC#、A13為地址總線，為有效命令提供行地址，同時為讀、寫命令提供列地址和自動預充電位（A10），以便從某個Bank的內存陣列里選出一個位置。LOAD MODE命令器件，地址輸入提供一個操作碼。地址輸入的參考值是VRECA。A12/BC#是在模式寄存器(MR)使能時，A12在讀和寫命令期間被采樣，已決定burst chop(on-the-fly)是否被執行（HIGH=BL8執行burst chop）或者LOW-BC4不執行burst chop。
》RAS#、CAS#、WE#分別為 行 選擇、列 選擇與 寫 使能信號，低電平有效。這三個信號與CS#一起組成了DDR的命令信號。
》DM為數據 掩碼 (屏蔽)信號，寫數據時，當伴隨輸入數據的DM信號被采樣為高時，輸入數據被屏蔽。當然DM僅作為輸入腳，但是，DM負載設計成與DQ和DQS腳負載相匹配。DM的參考值是VREFCA。DM可選作為TDQS。
》DQ0~DQ7為數據總線，讀寫操作時的數據信號通過該總線輸入或輸出。
》RESET#為復位信號，低有效，參考值是VSS。
》DQS、DQS#為數據選通（鎖存）信號，雙沿有效，寫數據時輸入，信號沿與數據中心對齊、讀數據時輸出，信號沿以數據邊沿對齊。
》TDQS、TDQS#輸出信號，終端數據選通，當TDQS使能時，DM禁止，TDQS和TDDS提供終端電阻。
》VDD電源電壓1.5V±0.075V。
》VEDO為DQ電源1.5V±0.075V。為了降低噪聲，在芯片上進行了隔離。
》VREFCA為控制、命令、地址的參考電壓。VREFCA在所有時刻（包括自刷新）都必須保持規定的電壓。
》VREFDQ為數據的參考電壓。VREFDQ在所有時刻（除了自刷新）都必須保持規定的電壓。
》VSS為地。
》VSSQ為DQ地，為了降低噪聲，在芯片上進行了隔離。
》ZQ輸出驅動校准的外部參考，這個引腳應該連接240 ohm電阻到VSSQ。
2、啟動過程
首先，芯片進入上電，在上電最小為200us的平穩電平后，等待500usCKE使能，在這段時間芯片內部開始狀態初始化，該過程與外部時鍾無關。在時鍾使能信號前（cke），必須保持最小10ns或者5個時鍾周期，除此之外，還需要一個NOP命令或者Deselect命令出現在CKE的前面。然后DDR3開始了ODT的過程，在復位和CKE有效之前，ODT始終為高阻。在CKE為高后，等待tXPR(最小復位CKE時間)，然后開始從MRS中讀取模式寄存器。然后加載MR2、MR3的寄存器，來配置應用設置；然后使能DLL，並且對DLL復位。接着便是啟動ZQCL命令，來開始ZQ校准過程。等待校准結束后，DDR3就進入了可以正常操作的狀態。對於基本的配置過程，現在就可以結束了。
2、信號組大致分類
》地址線、時鍾差分、命令控制線，該組信號較多，布線不一定非要走在同一層
》8根數據高位、1根數據掩碼、1對數據鎖存差分，共11根線，同一組信號線走同一層。
》8根數據低位、1根數據掩碼、1對數據鎖存差分，共11根線，同一組信號線走同一層。
備注：同組信號必須走同一層，不同組信號可走不同層。
》電源和地
3、布線規則
>>信號線盡量不走頂層或底層，在焊盤就近打過孔，走中間層，頂層或底層信號走線傳輸速率相對中間層走線要慢，頂層和底層不走線，便於擺放元器件。
>>打過孔盡量對齊擺放，美觀、更有利於線拉通
>>同組信號中，優先拉通差分線，同時給差分線對提前多預留的空間，便於后續做等長。
>>布線滿足3W原則，如線寬W = 0.1mm，線與線的中心距離為3W = 0.3mm， 線與線邊沿的距離也就是2W = 0.2mm。防止信號間的串擾。
>>單端50 ohm，差分100 ohm。
>>完整的參考平面。
>>不要有其他信號穿插到DDR布線區域。
>>VREF電源線盡量走寬 >=20~30mil。
>>差分對誤差盡量控制在5mil。
>>數據線誤差盡量控制在+/-20mil
>>地址線誤差盡量控制在+/-50mil
4、CPU和DDR、DDR和DDR之間的擺放間距（參考別人的經驗值）
》一個CPU只對一個DDR時，間距大概900~1000mil，如果中間有串阻，范圍1000~1300mil。
注意：這個距離不是CPU 中心到DDR中心的距離，而是CPU與DDR相關的焊盤一個大致區域中心到DDR的中心。
》一個CPU對兩個DDR時，兩個DDR相對CPU擺放時要嚴格對稱（也是相對O點進行對稱）。
5、走線方式：點對點，T型拓撲方式、菊花鏈拓撲方式
》點對點，一個CPU 僅對一個DDR， 只能用點對點的方式布線。
》T型：一個CPU對兩個DDR 或4個DDR，線從A點到B點，B點分支分別到C和D點。
》菊花鏈，一個CPU對兩個DDR 或4個DDR，下圖線從A點到B點，B點再到C點。
小記：
>>菊花鏈方式的型號完整性相對好點，一般大品牌走的大都是菊花鏈。
>>快速的辨別是哪種方式，可以直接查看地址線組。
>>當有兩個DDR時，如何判定用T型還是用菊花鏈，主要看CPU的地址線焊盤的位置。
如果地址線的焊盤在CPU BGA的邊緣處，可以考慮用菊花鏈，如果是靠近中間考慮T型。
如果地址線的焊盤靠近邊沿的中間處，可以考慮T型方式。
最容易區分出DDR1/2/3，主要看電源電壓。