1.多體並行存儲器
多體並行交叉存儲器是由多個獨立的、容量相同的存儲模塊構成的多體模塊存儲器。它解決的主要問題是提高主存儲器的數據傳輸速率。
多體並行存儲器分為高位交叉編址和低位交叉編址兩種。
2.高位交叉編址
圖是適合於並行工作的高位交叉編址的多體存儲器結構示意圖，圖中程序因按體內地址順序存放（一個體存滿后，再存入下一個體），故又有順序存儲之稱。
高位地址可表示體號，低位地址為體內地址。按這種編址方式，只要合理調動，使不同的請求源同時訪問不同的體，便可實現並行工作。
例如，當一個體正與CPU交換信息時，另一個體可同時與外部設備進行直接存儲器訪問，實現兩個體並行工作。
3.低位交叉編址：
圖是低位交叉編址的多體模塊結構示意圖。由於程序連續存放在相鄰體中，故又有交叉存儲之稱。
低位地址用來表示體號，高位地址為體內地址。這種編址方式又稱為模M編址（M等於模塊數），一般模塊數取2的方冪，使硬件電路比較簡單。有的機器為了減少存儲器沖突，采取質數個模塊。
4.理解
對於高位交叉編址比較好理解，就像單元號與房號。體號就是單元號，找到程序在體，體內地址就是房號，找到程序的開始位置。
如何理解程序連續放在相鄰的體中，我們舉個實際例子：
存儲體的有2個存儲芯片，存儲周期為100ns,數據按放置方法，先放第一個芯片，放滿后再放第2個芯片（順序方式）。
那么你讀數據的過程就是這樣：讀0位置數據，等100ns，讀1位置數據，等100ns讀2位置數據。
但如果換個方式來放，0位置是1號芯片起始，1位置是2號芯片起始位置，2位置是1號芯片第2個單元，3位置是2號芯片的第2個單元這樣交叉來編址。
再回憶存取周期的概念：存取周期等於存取時間+恢復時間，你讀一個芯片后，必須間隔一段時間才能去讀。采用交叉編址后，你的讀過程就像這樣：
讀0位置數據到緩沖區，40ns后，CPU取走了數據。這時1號芯片的100ns的周期還沒過，不能去讀，但幸運的是我們讀的不是1號芯片，而是2號芯片，這樣，我們就把2號芯片的數據讀到緩沖區。過了40ns后，CPU取走數據，此時過去了80ns，我們只需再等20ns就可以繼續去讀3號位置數據，這樣速度就比以前快了很多。
參考博客鏈接：https://blog.csdn.net/nuo_Shar/article/details/79048019