元器件選型及封裝速查手冊

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元器件選型及封裝速查手冊

參考資料:

立創商城

元器件選型手冊

AD庫

元器件選型

基本元器件：電容

電容的分類形式

按結構可分為：(1) 固定電容 (2) 可變電容 (3) 半可變電容(微調電容)

注：可變電容是指可以調節容值的電容,如示波器探頭的補償電容

按極性可分為：(1) 極性電容 (2) 非極性電容

注：極性電容容值一般比較大

按介質分類

氣體介質電容：空氣電容
電解電容：液態電解電容(如鋁質電解電容)和固態電解電容(鉭電容)
無機介質電容：瓷介電容，雲母電容，玻璃釉電容
有機介質電容

電容的基本參數

容量與誤差
實際電容量和標稱電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3級:l級±5%，II級±10%，III級±20%。在有些情況下，還有0級，誤差為±20%。精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級。常用的電容器其精度等級和電阻器的表示方法相同。用字母表示:D--005級--±0.5%;F--01級--±1%;G--02級--±2%;J--l級--±5%;K--Il級--±10%;M--Ⅲ級--±20%。
額定工作電壓
電容器在電路中能夠長期穩定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對於結構、介質、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。
溫度系數
在一定溫度范圍內，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值。溫度系數越小越好。
絕緣電阻
用來表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。
損耗
在電場的作用下，電容器在單位時間內發熱而消耗的能量。這些損耗主要來自介質損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來表示。
頻率特性
電容器的電參數隨電場頻率而變化的性質。在高頻條件下工作的電容器，由於介電常數在高頻時比低頻時小，電容量也相應減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時，電容器的分布參數，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。不同品種的電容器，最高使用頻率不同。
- 小型雲母電容器在25OMHZ以內;
- 圓片型瓷介電容器為30OMHZ;
- 圓管型瓷介電容器為20OMHz;
- 圓盤型瓷介可達300OMHZ;
- 小型紙介電容器為80MHZ;
- 中型紙介電容器只有8MHZ。

電容的選型指南

電容的選型，通常要考慮五個重要參數

電容的容值:這是設計者必須考慮的。一般在設計初期，就應該確定電容容值，並以此來查找相關容值的電容封裝形式。
電容的封裝:一定要明確電容封裝形式，並且要弄清楚容值與封裝是否能對應。
電容的精度。一般有5%精度，10%精度，20%精度等。
電容的溫度系數:這個主要取決於電容的介質，不同的介質具有不同的溫度系數。
絕緣電阻
頻率特性:頻率特性可以通過廠家提供的數據手冊進行查找。

在選型時，根據使用場合先確定電容的介質，然后查找相關廠家的產品，找到合適的電容。一般的，每種廠家都有自己的命名方式，要從官網上下載權威資料，查找相關型號。

知名電容廠商:

電解電容

液態電解電容(鋁電容)

特點：單位容值大，尺寸小(相對)，電感適中。耐壓值從6.3V到500V。
缺點：具有極性，漏電流大，損耗大，頻率特性差，穩定性差，不能承受低溫和低氣壓，只能用於地面設備。
一般用於 儲能，旁路，低頻濾波 等作用

選型指標

容值
這類電容相對來說較大，從0.1uF到22000uF不等
封裝
封裝具有兩種，一種是引線型(直插型)，還有一種是貼片型
- 引線型
  
  引線型的封裝參數有 腳間距 * 電容體直徑 * 電容體長度(非關鍵參數) * 字母H(代表直立或者彎曲) * 顏色代號(非關鍵參數)
  - 腳間距：常見的有 1.5mm、2mm、2.5mm、3.5mm、5mm、7.5mm、10mm
  - 電容體直徑：常見的有 4mm、5mm、6.3mm、8mm、10mm、12mm、16mm、18mm、22mm
  - 電容體長度(非關鍵參數)：常見的有 7mm、 8mm、 11.2mm、11.5mm、12.5mm、16mm、20mm、25mm、31.5mm、35.5mm、40mm
  - 字母H(代表直立或者彎曲)：H代表彎曲，沒有則為直立
  - 顏色代號(非關鍵參數)：我的AD庫特有，沒有為藍色，BK黑色，GD綠色
- 貼片型
  貼片型的封裝參數有電容體直徑 * 電容體長度(非關鍵參數)
  - 電容體直徑：常見的有5mm、6mm、8mm、10mm
  - 電容體長度(非關鍵參數)：不重要
  - 另外，若上面標着RVT，VT，CS之類的，說明是鋁電容
耐壓
這類電容耐壓值較大，電容的耐壓從2V到500V不等
精度
這類電容精度不是很高，正負10~20%

固態電解電容(鉭電容)

特點：體積小，使用溫度范圍廣(-55°C~100°C)，壽命長功耗低，阻抗頻率特性好，可靠性高
缺點：具有極性，價格貴，穩定性差，精度差，耐壓值低(目前最大是50V)

選型指標

容值
這類電容相對來說也較大(比鋁電容小點)，從3.3uF到4700uF不等
封裝
封裝具有三種 直插型、貼片圓型，貼片方型
- 直插型
  
  直插型的封裝參數有 腳間距 * 電容體直徑 * 電容體長度(非關鍵參數) * 顏色代號(非關鍵參數)
- 貼片圓型
  
  貼片圓型的封裝參數有電容體直徑 * 電容體長度(非關鍵參數)
  - 標准有：A(3 * 5.4)、B(4 * 5.4)、C(5 * 5.4)、D(6.3 * 5.4)(6.3 * 7.7)、E(8 * 6.2)、F(10 * 10.2)、G(12.5 * 13.5)、H(16 * 16.5)
- 貼片方型
  
  貼片方型的封裝為標准封裝
  - 標准封裝有：A(3216)、B(3528)、C(6032)、D(7343)、E(7343H)、S(2012)
耐壓
這類電容耐壓值較大，電容的耐壓從2V到250V不等
精度
這類電容精度相比較鋁電容較高，正負5~35%

無機介質電容

片式多層陶瓷電容器(Multi-layer Ceramic Capacitors MLCC)

分為 高頻陶瓷電容器 和 低頻陶瓷電容器 兩種。也叫I類陶瓷電容和II類陶瓷電容
I類陶瓷電容器容量穩定性好，基本不隨溫度，電壓，時間變化
II類陶瓷電容器容量穩定性差，隨溫度，電壓，時間變化幅度較大，所以用在對容量穩定性要求不高的地方，如 濾波

NPO類：屬於第I類陶瓷電容器，超穩定級電容器，溫度變化從-55°C~+125°C時容量變化范圍30ppm/°C(ppm：百萬分之一)C0G是NPO中最好的一種
特點：穩定性高，頻率特性好，適用於振盪器，諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容

穩定電容器X5R/X7R/X6S：屬於第II類陶瓷電容器，隨溫度變化誤差在15% 到 22%之內

X7R常用於工業，其溫度和誤差性能都比較好

通用級電容器Z5U：工作溫度范圍+10°C~+85°C 溫度特性-56%~+22%

能用級電容器Y5V：工作溫度范圍-30°C~+85°C 溫度特性-82%~+22%

選型指標

容值
這類電容容值偏小，范圍很廣，從0.1pF到7500uF不等
封裝
常見封裝為0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、1825、2225
耐壓
這類電容耐壓值很大，電容的耐壓從2V到30kV不等
精度
這類電容精度精度很高，正負0.02pF~30%

引線式多層陶瓷電容(獨石電容)

無極性,插腳式,是用MLCC電容焊接兩個引腳，然后把芯用包封材料制造而成
CC41、CT41就屬於這類。獨石電容為直插電容，是陶瓷電容的一種。它的體積相對於貼片電容來說比較大，溫漂系數比較小，穩定性較好。獨石電容器的耐壓值一般比較低。

圓形陶瓷電容(瓷介電容)

無極性，單層，正負極為金屬電極、電介質是陶瓷材料，個頭比較大，一般為高壓電容

玻璃釉電容

玻璃釉電容器具有介質介電系數大、體積小、損耗較小等特點，耐溫性和抗濕性也較好。
玻璃釉電容器適合半導體電路和小型電子儀器中的交、直流電路或脈沖電路使用。

雲母電容器

雲母電容器是最早使用的高性能電容器，具有穩定性好、分布電感小、精度高、損耗小、絕緣電阻大、溫度特性及頻率特性好等優點，工作電壓很高，為50V到7KV，一般在高頻電路中作信號耦合、旁路、調諧等電容器使用。

有機介質電容

薄膜電容

它是采用醋酸纖維素和聚碳酸醋等漆膜材料作介質，用蒸發金屬作電極而構成。
薄膜電容絕緣電阻高，耐熱性好。具有自愈性和無感特性。具有優良的高頻絕緣性能，電容量與損耗角在很大頻率范圍內與頻率無關，隨溫度變化很小，而介電強度隨溫度升高而有所增加，這是其他介質材料難以具備的。
耐溫高，吸收系數小。一般用於高頻濾波、高頻旁路、一階或二階濾波電路。

CBB電容

CBB電容以金屬化聚丙烯膜串聯結構型式，能抗高電壓、大電流沖擊，具有損耗小，電性能優良，可靠性高和自愈性能。基於以上的優點，所以CBB電容器被大量使用在模擬電路上。尤其是在信號交連的部分，必須使用頻率特性良好，介質損失極低的電容器，方能確保信號在傳送時，不致有太大的失真情形發生。介電常數較高，體積小，容量大，穩定性比較好，適宜做旁路電容。
聚丙烯薄膜電容介質損耗小，絕緣電阻高，但是溫度系數大可用於高頻電路。

CBB電容的特點:

a無極性，絕緣阻抗很高，頻率特性優異，而且介質損失很小。

b介電常數較高，體積小，容量大，穩定性比較好。

c介質損耗小，絕緣電阻高，但是溫度系數大。

基本元器件：電阻

通用元件和芯片封裝

DO SOD二極管封裝

DO(Diode Outline Package)和SOD(Small Outline Diode)二極管專用封裝

TO 晶體管封裝

TO(Transistor Outline Package) 晶體管封裝

TO-晶體管外形封裝(Transistor Outline Package)是一種在功率器件中廣泛應用的封裝形式。其主要特點是元器件背部有大面積的金屬，便於散熱，也可連接散熱片進行散熱，可以提供較高的耗散功率。常見的有TO-92，TO-220，TO-247等。早期的封裝規格例如TO-92，TO-92L，TO-220，TO-252等等都是插入式封裝設計。近年來表面貼裝市場需求量增大，TO封裝也進展到表面貼裝式封裝。

TO92：用於小型晶體管三極管，分為TO92A和TO92B
- TO92A：三個引腳同排
- TO92B：三個引腳不同排
TO220：用於大功率晶體管MOS管，參數有引腳，還有引腳排列型號ABCD
- 引腳通常有：2、3、5、11，默認為3
- TO220-2A
TO247、TO251：尺寸不同的大功率晶體管
- 字母參數：A直立、B躺着
TO貼片型封裝：TO252、TO263
- TO252：稍小的貼片封裝
  - 主要有2引腳和5引腳的
- TO263：厚版貼片封裝
  - 引腳從3到7不等
  - 字母A表示引腳完全，B表示中間引腳缺失

SOT 小外形晶體管(SMT貼片)

SOT(Small Outline Transistor) 小外形晶體管

SOT是一種貼片封裝，通常引腳在5腳或以下(3腳、4腳)器件的貼片封裝形式，尺寸較小，很多晶體管采用此類封裝。

SOT23：小型晶體管使用，參數有引腳
- SOT23-3：三個引腳，常用於三極管
- SOT23-5
- SOT23-6
- SOT23-8
SOT36-3：和SOT23-6外觀差不多，尺寸略有不同
SOT89：常用於三極管
- SOT89：默認三個引腳
- SOT89-5
SOT223
SOT669

SOP 小外形封裝(SMT貼片)

SOP(Small Outline Package) 小外形封裝(貼片)

SOP封裝是一種元件封裝形式，常見的封裝材料有:塑料、陶瓷、玻璃、金屬等，現在基本采用塑料封裝.，應用范圍很廣，主要用在各種集成電路中。后面就逐漸有TSOP(薄小外形封裝)、VSOP(甚小外形封裝)、SSOP(縮小型SOP)、TSSOP(薄的縮小型SOP)、MSOP(微型外廓封裝)、 QSOP(四分之一尺寸外形封裝)、QVSOP(四分之一體積特小外形封裝)等封裝。

SOP的封裝大致有三種規格：相鄰管腳距2.54mm(100mil)、相鄰管腳距1.27mm(50mil)偏窄的、相鄰管腳距1.27mm(50mil)偏寬的

SOP封裝系列

SOP Small Outline Package：小外形封裝，在EIAJ標准中，針腳間距為1.27mm(50mil)的此類封裝被稱為"SOP"。JEDEC標准SOP具有不同的寬度。
- SOIC Small Outline Integrated Circuit：小外形集成電路，和SOP差不多，專門給集成電路使用的。
- SO Small Outline：小外形，SOP的別稱
- DSO Dual Small Outlint：雙側引腳小外形封裝，SOP的別稱
- SOL Small Outline L-leaded package：按照JEDEC標准對SOP所采用的名稱
- SOW Small Outline Package(Wide-Type)：寬體SOP，部分半導體廠家采用的名稱
SSOP Shrink Small Outline Package：縮小的SOP，針腳間距：0.635mm(25mil)
VSOP Very Small Outline Package：甚小型SOP
- VSSOP Very Shrink Small Outline Package：甚小縮型SOP
TSOP Thin Small Outline Package：薄的SOP,引腳間距和SOP差不多，芯片厚度偏薄
- TSSOP Thin Shrink Small Outline Package：薄的縮小型SOP，針腳間距：0.635mm(25mil)，芯片厚度偏薄
- ETSSOP：中間帶散熱的薄的縮小型SOP
NSOP：不清楚叫什么，知道的請告訴我！
MSOPMini Small Outline Package：迷你小外形封裝，針腳間距：0.5mm
QSOP：四分之一尺寸外形封裝
- QVSOP：四分之一體積特小外形封裝

SSOP

引腳間距比SOP的要小

薄的縮小型SOP，針腳間距：0.635mm(25mil)

ESOP

ESOP和SOP封裝的區別就是中間帶有散熱。

DIP 雙列直插封裝

DIP(dual in-line package) 雙列直插封裝

雙列直插封裝（英語：dual in-line package）也稱為DIP封裝或DIP包裝，簡稱為DIP或DIL，是一種集成電路的封裝方式，集成電路的外形為長方形，在其兩側則有兩排平行的金屬引腳，稱為排針。DIP包裝的元件可以焊接在印刷電路板電鍍的貫穿孔中，或是插入在DIP插座（socket）上。

封裝參數主要是引腳，常見的如DIP8、DIP40等等
DIP相鄰管腳間距為2.54mm(100mil)

QFP 方型扁平式封裝(SMT貼片)

QFP(Quad Flat Package) 方型扁平式封裝技術

這種封裝是方型扁平式封裝，一般為正方形，四邊均有管腳，采用該封裝實現的CPU芯片引腳之間距離很小，管腳很細，一般大規模或超大規模集成電路采用這種封裝形式，其引腳數一般都在100以上。因其其封裝外形尺寸較小，寄生參數減小，適合高頻應用。這類封裝有：CQFP(陶瓷四方扁平封裝)、 PQFP(塑料四方扁平封裝)、SSQFP(自焊接式四方扁平封裝)、TQFP(纖薄四方扁平封裝)、SQFP(縮小四方扁平封裝)