FET的特性與參數
1、特性
通過前文的學習,幾類FET的特性都可以很容易的分析出來,首先做一個分類, N型和P型,二者最顯著的特征就是溝道載流子不同導致的控制端的需要的電壓方向不同,故N型的兩特性曲線分布在x軸上方,P型則相反(y軸參考方向為電流由漏極d流向源極s,即自由電子由源極s流向漏極d;空穴由漏極d流向源極s),耗盡型MOSFET與JFET一樣屬於天生有溝道,但耗盡型MOSFET屬於正向增至擊穿,反向增至閾值(off),JFET只能正向增至閾值(off),反向則會導致PN結正偏導通;而增強型MOSFET只能在增過閾值后出特性,且只能在此方向增至擊穿,更為直觀的分類如下圖:
正負參考與上表相同
2、參數
a/直流參數
UGS(th) 閾值(開啟電壓),對應增強型MOSFET
UGS(off) 閾值(夾斷電壓),對應JFET和耗盡型MOSFET
IDSS 飽和漏極電流,對於耗盡型MOSFET而言,是當uGS = 0(控制)時,uDS大於UGS(th)(達到恆流區,注意耗盡型與增強型的區別,增強型在達到恆流區時uDS還需要減去一個uGS,而耗盡型由於天生有溝道,uGS可為0)產生的漏極電流;對於JFET而言,這種情況與耗盡型很類似,是在uGS為0V的情況下uDS產生預夾斷的漏極電流
RGS(DC) 直流輸入電阻,為柵源電壓uGS與柵極電流之比,MOSFET> 109Ω,而JFET > 107Ω
b/交流參數
低頻跨導 動態等效電導