Bipolar Junction Transistor共射特性曲線
1、輸入特性
輸入特性曲線描述管壓降（管壓降：集電極與發射極間電壓）uCE一定時，基極電流iB與發射結壓降uBE的關系，下圖為不同uCE的曲線簇
在uCE為0~1V時圖像隨uCE增大漸漸右移，這是由於隨着uCE的增大，未能通過基極的非平衡少子（自由電子）會變少，要想再達到所要求的iB，則需要更大的uBE；當uCE大於1V時，管壓降達到一定值，這意味着集電結的處的吸引力足夠大，使得最終所有電子都可以通過基極到達集電極
2、輸出特性
輸出特性曲線描述基極電流iB一定時，集電極電流iC與管壓降uCE的關系
放大區：以iB1曲線為例，當uCE足夠大，達到曲線呈平緩時，集電結出現了我們需要的反偏，發射結處於正偏，也就是iC與iB出現了放大關系，此時的晶體管處於放大區
截止區：iB = 0時，仍然存在一微小電流iCEO（穿透電流），晶體管相當於斷路，雙結反偏，類似於CE開關的斷開
飽和區：iB與iC不互相成比例，uCE極小，集電結正偏；與此同時發射結正偏，雙結正偏，類似於CE開關的閉合，此時的β*iB大於外電路所規定的iC的最大值——iCMAX = iC = (VCC - uCE) / RC，此時的iC = iCMAX，不再隨iB改變
2021/2/22 18:22
LynnSX in SZ