1、SRAM存儲單元結構
工作管：T1、T2(保存數據）
負載管：T3、T4（補充電荷）
門控管：T5、T6、T7、T8（開關作用）
2、SRAM存儲單元工作原理
X地址選通（行選通）
T5、T6管導通
A點與位線相連（B點也一樣）
Y地址選通（列選通）
T7、T8管導通
A點電位輸出到I/O端（B點也一樣）
寫過程：
讀過程：
通過外接於I/O於I/O非 的電流放大器中的電流方向可判斷讀出的是1還是0（與寫入時定義的1和0有關）
無論讀/寫，都要求x和y譯碼線同時有效
保持：
x、y撤銷后，由負載管T3、T4分別為工作管T1、T2提供工作電流，保持其穩定互鎖狀態不變。
3、靜態存儲器的結構
