1、SRAM存儲單元的不足
晶體管過多
存儲密度低
功耗大
2、DRAM存儲單元的基本結構
解決SRAM不足采取的方法：
去掉兩個負載管T3、T4
提升存儲密度
降低功耗
降低成本
利用柵極分布電容緩沖電荷
增加電路協同存儲單元工作
3、DRAM存儲單元的工作原理
寫操作
Y地址選通
T7、T8管導通
I/O端數據寫入到位線
X地址選通
T5、T6管導通
位線與C2、C1相連
讀操作：
給出預充信號
T9、T10導通
充電電壓給CD充電（充滿）
撤除預充信號
X地址選通
T5、T6管導通
右CD通過C1放電
左CD給C2充電
Y地址選通
T7、T8管導通
左CD與右CD間形成放電電流
讀過程比寫復雜、速度慢
保持操作：
X地址選通信號撤銷
Y地址選通信號撤銷
柵極電容容量有限，可持續的時間很短。
刷新操作：
給出預充信號
T9、T10導通
充電電壓給左右CD充電
撤除預充信號
X地址選通
T5、T6管導通
右CD通過C1放電
左CD給C2充電
3、DRAM存儲單元的刷新
刷新周期：兩次刷新之間的時間間隔
雙譯碼結構的DRAM刷新按行進行，需要知道DRAM芯片存儲矩陣的行數
刷新地址由刷新地址計數器給出。
5、DRAM與SRAM的對比
6、其他結構的DRAM存儲單元
進一步提高存儲密度
裁剪冗余電路
核心是電容