1. 電源模塊
Electrical Sources
模塊分別為：交流電流源、交流電壓源、受控電流源、受控電壓源、直流電壓源、三相電源、三相可編程電壓源。
以三相電源為例介紹。
聯結方式（Configuration）
- Y：星形連接中性點不接地；
- Yn：星形連接中性點經端子N引出；
- Yg：星形連接中性點接地。
勾選Specify internal voltages for each phase時，可分別設置每相電壓。
否則統一設置。
- Phase-to-phase voltage（Vrms）表示線電壓有效值。
- Phase angle of phase A（degree）以角度形式設置A相的初始相角。
- Frequency（Hz）為電源頻率。
不勾選Specify short-circuit level parameters時，直接設置電源的電阻和電感；勾選時通過設置電源在額定電壓下的短路容量、額定線電壓有效值和電抗/電阻比由程序自動計算電源內阻。
2. 二極管
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- Resistance Ron：二極管內部電阻（Ω）。默認是0.001。當電感Lon參數設置為0時，電阻Ron參數不能設置為0。
- Inductance Lon：二極管內部電感（H）。默認為0。當電阻Ron參數設置為0時，電感Lon參數不能設置為0。
- Forward voltage Vf：二極管器件的正向電壓，單位為伏特(V)。默認值為0.8。
- Initial current Ic：指定流過二極管設備的初始電流。默認值為0。
- Snubber resistance Rs：緩沖電阻（Ω）。默認是500。將緩沖電阻Rs參數設置為inf，以消除模型中的緩沖。
- Snubber capacitance Cs：緩沖電容（F）。默認是250e-9。將緩沖電容Cs參數設置為0以消除緩沖，或設置為inf以獲得電阻緩沖。
- Show measurement port：如果勾選，添加一個輸出端口，返回二極管電流和電壓。默認被選中。
負載電壓過零時，電流未過零。待電流過零時二極管關斷。
3. 晶閘管
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晶閘管是一種半導體器件，可以通過柵信號打開。
- 當晶閘管承受反向電壓時，不論門極是否有觸發電流，晶閘管都不會導通；
- 當晶閘管承受正向電壓時，僅在門極有觸發電流的情況下，晶閘管才能導通；
- 晶閘管一旦導通，門極就失去控制作用，不論門極觸發電流是否還存在，晶閘管都保持導通；
- 若要使已導通的晶閘管關斷，只能利用外加電壓和外電路的作用，使流過晶閘管的電流降到接近於零的某一數值之下。
觸發角逐漸延遲，導通角逐漸減小。
4. GTO
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柵極關斷(GTO)晶閘管是一種可以通過柵極信號開關的半導體器件。與傳統的晶閘管一樣，GTO晶閘管可以通過一個正的門信號開通，然而，與晶閘管不同的是，晶閘管只能在電流過零點時關閉，GTO可以在任何時間通過一個等於0的門信號來關閉。
5. MOSFET
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金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)是由柵信號(g > 0)控制的半導體器件，MOSFET器件與內部二極管並聯，當MOSFET器件反向偏置(Vds < 0)且不施加柵信號(g=0)時，內部二極管打開。該模型由邏輯信號(g > 0或g =0)控制的理想開關和並聯的二極管模擬。
無論漏源極電壓是正的還是負的，當在柵輸入端(g > 0)施加一個正信號時，MOSFET器件就會打開。如果在柵極輸入端沒有信號(g=0)，只有內部二極管在電壓超過正向電壓Vf時導通。
6. IGBT
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該IGBT模塊實現了由柵信號控制的半導體器件。
boost電路：
IGBT導通，電源Vdc向電感L1充電，同時電容C1向負載R1供電；當IGBT關斷，電源Vdc和電感L1同時向電容C充電並向負載R提供能量。
Vdc=100V，占空比Pulse Width=50%，輸出電壓約為200V。
7. Bridge
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通用橋接模塊實現了一個通用三相電源轉換器，該轉換器由最多六個電源開關組成。電源開關類型和轉換器配置可從對話框中選擇。
通用橋接模塊允許使用自然換向電力電子設備(二極管或晶閘管)和強制換向設備(GTO, IGBT, MOSFET)轉換器。
8. Switch
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理想的開關塊並不對應於特定的物理設備。當與適當的開關邏輯一起使用時，它可以用於模擬簡化的半導體器件，例如GTO或MOSFET，甚至是具有電流截斷的電源斷路器。
開關初始導通，關斷后電壓和電流波動減小，再次開通時電壓立即加到負載上。