仿真要求
采用共發射極結構，中心頻率$f_0=20MHz$，電壓增益$G_v \geq 20dB$，帶寬$BW \geq 1MHz$，電源電壓$+12V$，輸入電壓峰值$1mV$。
參數設計
晶體管選型
本次實驗選擇型號為Q2SC1215的NPN三極管，如下圖所示，該三極管極間電容較小，且具有較高的的上限頻率，適合大多數的高頻電路設計。
靜態工作點
高頻小信號放大電路最佳的工作點：集電極電流$I_c=2mA \sim 4mA$，基極電壓$V_b=\frac{1}{3}V_{cc}$。取$R_{b1}=20k\Omega,R_{b2}=10k\Omega,R_e=1k\Omega$，此時$I_c \approx 3.18mA$。
LC參數
根據要求的中心頻率，可知$L·C=64 \times 10^{-18}F·H$。此外，帶寬$BW=\frac{f_0}{Q_L} \geq 1MHz$，即要求$Q_L=\sqrt{\frac{C}{L}}R_L \leq 20$，取負載$R_L=1k\Omega$，則$\sqrt{\frac{C}{L}} \leq \frac{1}{50}$。綜上，取$C=80pF,L=0.8uF$，理論通頻帶為$2MHz$，品質因數$Q_L=10$。
電路圖
性能指標觀測
中心頻率和通頻帶
根據歸一化的輸出幅頻曲線，測得中心頻率為$f_0=19.78MHz$，主要誤差來源於極間電容對諧振回路的影響；通頻帶大約是$2.02Mhz$，符合理論計算結果。
電壓增益
由圖可知，放大器在中心頻率處的電壓增益$G_v \approx 40dB$，主要由負載和集電極電流所貢獻。根據Y參數的增益公式$A_u=-\frac{p_1p_2|y_{fe}|}{g_\Sigma}=-\frac{|y_{fe}|}{g_\Sigma}$，可以計算得到放大倍數在110左右（$g_\Sigma=Q_L\omega_0 L，y_{fe} \approx \frac{g_m}{1+r_{bb'}(g_{b'e}+j\omega C_{b'e})}$）。
負載變化的影響
下圖分別是通頻帶和最大電壓增益隨負載變化得曲線，可以看到隨着負載的增大，曲線趨於平緩。
傅里葉分析
首先是集電極的電壓傅里葉分析，主要是直流分量和$20MHz$的分量。
然后是輸出電壓的傅里葉分析，其中的直流分量被隔直電容所過濾。
