定時刷新的原因：由於存儲單元的訪問是隨機的，有可能某些存儲單元長期得不到訪問，不進行存儲器的讀/寫操作，其存儲單元內的原信息將會慢慢消失，為此，必須采用定時刷新的方法，它規定在一定的時間內，對動態RAM的全部基本單元電路必作一次刷新，一般取2ms，即刷新周期（再生周期）。
刷新與行地址有關。刷新時一行行進行的，必須在刷新周期內，由專用的刷新電路來完成對基本單元電路的逐行刷新，才能保證DRAM內的信息不丟失。通常有三種方式刷新：集中刷新、分散刷新和異步刷新。
假定：
①刷新周期為2ms
②存取周期為0.5μs，即刷新1行的時間為0.5μs（刷新時間是等於存取周期的。因為刷新的過程與一次存取相同，只是沒有在總線上輸入輸出。存取周期＞真正用於存取的時間，因為存取周期內、存取操作結束后仍然需要一些時間來更改狀態。對於SRAM也是這樣，對於DRAM更是如此）。
③對128×128的矩陣的存儲芯片進行刷新，按存儲單元(1B/單元)分為128行128列，即128×128×1B/單元=2^14個單元×1B/單元 = 16KB內存。 （如果是64×64的矩陣，則為64×64×1B/單元=2^12個單元×1B/單元 = 4KB內存）
1.集中刷新
集中刷新是在規定的一個刷新周期內，對全部存儲單元集中一段時間逐行進行刷新，此刻必須停止讀/寫操作。
用0.5μs*128=64μs的時間對128行進行逐行刷新，由於這64μs的時間不能進行讀/寫操作，故稱為“死時間”或訪存“死區”。
由於存取周期為0.5μs，刷新周期為2ms，即4000個存取周期。
補充一點：為什么刷新與存取不能並行？
因為內存就一套地址譯碼和片選裝置，刷新與存取有相似的過程，它要選中一行——這期間片選線、地址線、地址譯碼器全被占用着。同理，刷新操作之間也不能並行——意味着一次只能刷一行。
2.分散刷新
分散刷新是指對每行存儲單元的刷新分散到每個存取周期內完成。其中，把機器的存取周期tc分成兩段，前半段tM用來讀/寫或維持信息，后半段tR用來刷新。
即在每個存取操作后綁定一個刷新操作。延長了存取周期，這樣存取周期就成了0.5μs + 0.5μs =1μs。但是由於與存取操作綁定，就不需要專門給出一段時間來刷新了。這樣，每有128個讀取操作，就會把0-127行全部刷新一遍。故每隔128μs 就可將存儲芯片全部刷新一遍，即刷新周期是1μs×128=128μs遠短於2ms，而且不存在停止讀/寫的死時間，但是存取周期長了，整個系統速度降低了。（分散刷新的刷新周期128μs ，其實不需要這么頻繁，會導致浪費）
3.異步刷新
既可以縮短“死時間”，又充分利用最大刷新間隔為2ms的特點，具體操作為：在2ms內對128行各刷新一遍
即每隔15.6μs刷新一行(2000μs/128≈15.6μs)，而每行刷新的時間仍為0.5μs。這樣，刷新一行只能停止一個存取周期，但對每行來說，刷新間隔時間仍為2ms，而死時間為0.5μs。（相對每一段來說，是集中式刷新，相對整體來說，是分散式刷新）
如果將DRAM的刷新安排在CPU對指令的譯碼階段，由於這個階段CPU不訪問存儲器，所以這種方案既克服了分散刷新需獨占0.5μs用於刷新，使存取周期加長且降低系統速度的缺點，又不會出現集中刷新的訪存“死區”問題，從根本上上提高了整機的工作效率。
內存刷新說明：
DRAM 制造商的一些資料中顯示，內存至少要每64ms刷新一次，這也就意味着內存有1％的時間要用來刷新。內存的自動刷新對於內存廠商來說不是一個難題，而關鍵 在於當對內存單元進行讀取操作時保持內存的內容不變，所以DRAM單元每次讀取操作之后都要進行刷新：執行一次回寫操作，因為讀取操作也會破壞內存中的電 荷，也就是說對於內存中存儲的數據是具有破壞性的。所以內存不但要每64ms刷新一次，每次讀操作之后也要刷新一次。