定时刷新的原因：由于存储单元的访问是随机的，有可能某些存储单元长期得不到访问，不进行存储器的读/写操作，其存储单元内的原信息将会慢慢消失，为此，必须采用定时刷新的方法，它规定在一定的时间内，对动态RAM的全部基本单元电路必作一次刷新，一般取2ms，即刷新周期（再生周期）。
刷新与行地址有关。刷新时一行行进行的，必须在刷新周期内，由专用的刷新电路来完成对基本单元电路的逐行刷新，才能保证DRAM内的信息不丢失。通常有三种方式刷新：集中刷新、分散刷新和异步刷新。
假定：
①刷新周期为2ms
②存取周期为0.5μs，即刷新1行的时间为0.5μs（刷新时间是等于存取周期的。因为刷新的过程与一次存取相同，只是没有在总线上输入输出。存取周期＞真正用于存取的时间，因为存取周期内、存取操作结束后仍然需要一些时间来更改状态。对于SRAM也是这样，对于DRAM更是如此）。
③对128×128的矩阵的存储芯片进行刷新，按存储单元(1B/单元)分为128行128列，即128×128×1B/单元=2^14个单元×1B/单元 = 16KB内存。 （如果是64×64的矩阵，则为64×64×1B/单元=2^12个单元×1B/单元 = 4KB内存）
1.集中刷新
集中刷新是在规定的一个刷新周期内，对全部存储单元集中一段时间逐行进行刷新，此刻必须停止读/写操作。
用0.5μs*128=64μs的时间对128行进行逐行刷新，由于这64μs的时间不能进行读/写操作，故称为“死时间”或访存“死区”。
由于存取周期为0.5μs，刷新周期为2ms，即4000个存取周期。
补充一点：为什么刷新与存取不能并行？
因为内存就一套地址译码和片选装置，刷新与存取有相似的过程，它要选中一行——这期间片选线、地址线、地址译码器全被占用着。同理，刷新操作之间也不能并行——意味着一次只能刷一行。
2.分散刷新
分散刷新是指对每行存储单元的刷新分散到每个存取周期内完成。其中，把机器的存取周期tc分成两段，前半段tM用来读/写或维持信息，后半段tR用来刷新。
即在每个存取操作后绑定一个刷新操作。延长了存取周期，这样存取周期就成了0.5μs + 0.5μs =1μs。但是由于与存取操作绑定，就不需要专门给出一段时间来刷新了。这样，每有128个读取操作，就会把0-127行全部刷新一遍。故每隔128μs 就可将存储芯片全部刷新一遍，即刷新周期是1μs×128=128μs远短于2ms，而且不存在停止读/写的死时间，但是存取周期长了，整个系统速度降低了。（分散刷新的刷新周期128μs ，其实不需要这么频繁，会导致浪费）
3.异步刷新
既可以缩短“死时间”，又充分利用最大刷新间隔为2ms的特点，具体操作为：在2ms内对128行各刷新一遍
即每隔15.6μs刷新一行(2000μs/128≈15.6μs)，而每行刷新的时间仍为0.5μs。这样，刷新一行只能停止一个存取周期，但对每行来说，刷新间隔时间仍为2ms，而死时间为0.5μs。（相对每一段来说，是集中式刷新，相对整体来说，是分散式刷新）
如果将DRAM的刷新安排在CPU对指令的译码阶段，由于这个阶段CPU不访问存储器，所以这种方案既克服了分散刷新需独占0.5μs用于刷新，使存取周期加长且降低系统速度的缺点，又不会出现集中刷新的访存“死区”问题，从根本上上提高了整机的工作效率。
内存刷新说明：
DRAM 制造商的一些资料中显示，内存至少要每64ms刷新一次，这也就意味着内存有1％的时间要用来刷新。内存的自动刷新对于内存厂商来说不是一个难题，而关键 在于当对内存单元进行读取操作时保持内存的内容不变，所以DRAM单元每次读取操作之后都要进行刷新：执行一次回写操作，因为读取操作也会破坏内存中的电 荷，也就是说对于内存中存储的数据是具有破坏性的。所以内存不但要每64ms刷新一次，每次读操作之后也要刷新一次。