前言
- 使用標准SPI指令格式；
- 3字節地址模式或4字節地址模式；
- 支持SPI 總線 模式0 和 模式3；
- 存儲容量32MB；
- 時鍾頻率范圍：80Mhz – 104Mhz；
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主機：STM32F103ZET6 ；主機的SPI 總線模式應該與從機的SPI 總線模式保持一致；
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電路原理
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內存組織
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狀態寄存器和擴展地址寄存器
備注：外部擴展寄存器僅用於3字節地址模式，用來設置更高的地址；
部分位說明：
WIP位：只讀；可以根據這個位判斷Flash的工作狀態；WIP = 1：Flash正在執行寫（數據或狀態寄存器）操作或擦除操作；WIP = 0：無執行寫（數據或狀態寄存器）操作或擦除操作；
WEL位：可讀寫；WEL = 1：使能寫（數據或狀態寄存器）操作或擦除操作；WEL = 0：失能寫（數據或狀態寄存器）操作或擦除操作；
TB位、BP3、BP2、BP1、BP0位、SRP1、SRP0位：可讀寫；保持0，不使用數據保護模式；
LB3、LB2、LB1位：OTP，一次性可編程；一旦這三個位都被置1，安全寄存器將永久性變為只讀；（GD25Q256提供可被編程和擦除的具有2048字節的安全寄存器）
DRV1、DRV0位：可讀寫；可編程讀操作速度，默認值為01，75%；可配置為00，100% 來增加讀取速度；
PE位：只讀；編程出錯標志；
EE位：只讀；擦除出錯標志；
ADS位：只讀；指示當前Flash的地址模式；ADS = 0：3字節地址模式；ADS = 1：4字節地址模式；
ADP位：可讀寫；決定上電或復位后的Flash的地址模式；ADP = 0：3字節地址模式；ADP = 1：4字節地址模式；
A24位：可讀寫；A24 = 1：選擇高128Mb（01000000h – 01FFFFFF）內存空間；A24 = 0：選擇低128Mb（00000000h – 00FFFFFFh）內存空間；
- 一些命令使用的注意事項
- 在傳輸完一幀數據的最后一個位必須取消片選（把片選線拉高）；
- 對於以下命令：頁編程、扇區擦除、塊擦除、整片擦除、寫狀態寄存器、寫使能/失能、深度休眠指令，必須在傳輸完一幀數據的最后一個位的字節邊界（准確的8的倍數個CLK脈沖后），取消片選，否則命令不會被執行。
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對於頁編程指令，如果寫入不足一個字節，那么寫使能WEL 不會被取消。
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命令列表
備注：
Table of ID Definitions:
Security Registers Address
Security Register1: A23-A16=00H, A15-A12=1H, A11=0b, A10-A0=Byte Address;
Security Register2: A23-A16=00H, A15-A12=2H, A11=0b, A10-A0=Byte Address;
Security Register3: A23-A16=00H, A15-A12=3H, A11=0b, A10-A0=Byte Address.
- 命令解析
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Write Enable (WREN) (06H)
在頁編程、擦除、寫狀態寄存器之前，必須先進行寫使能。
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Write Disable (WRDI) (04H)
以下操作將會使寫使能位失效：上電、頁編程、擦除、寫狀態寄存器、寫失能指令；
寫失能后，不能進行頁編程、擦除以及寫狀態寄存器；注意：不能在執行頁編程、擦除、寫狀態寄存器期間，進行寫失能操作，否則命令不會生效；
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Read Status Register (RDSR) (05H or 35H or 15H)
可以在任何時候讀取狀態寄存器；注意：當WIP被置0時，讀取到的值為准！
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Write Status Register (WRSR) (01H or 31H or 11H)
I、 寫狀態寄存器之前，必須先寫使能；
ii、 寫操作對S0、S1、S8、S10、S15、S18、S19無影響；
iii、必須在傳輸完最后一位的時候，把片選取消，否則寫狀態寄存器將會失敗；
iv、寫狀態寄存器期間，WIP位置1，當寫操作完成，WIP置0，並且寫使能失效（WEL:1 -> WEL:0）；
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Read Extended Register (C8H)
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Write Extended Register (C5H)
寫操作之前，不需要執行寫使能操作；掉電或復位，該寄存器的值將會清除；
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Read Data Bytes (READ 03H or 4READ 13H)
i、 可以讀取任意地址；
ii、 字節地址自加；
iii、當WIP = 1，不能進行讀取操作；
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Read Data Bytes at Higher Speed (Fast Read 0BH or 4Fast Read 0CH)
i、 空閑時鍾數量可編程（決定Dummy byte的數量）；
ii、字節地址自加；
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Page Program (PP 02H or 4PP 12H)
i、 頁編程前，必須先進行寫使能操作；
ii、 寫操作必須以頁首地址作為起始地址；
iii、寫入前先擦出；（按照Datasheet的說法，應該是寫入前不需要先擦除的，但是，如果不先擦除，寫入再讀出的數據是錯亂的）
iv、一次寫入的大小不應超過最大頁大小；
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Sector Erase (SE 20H or 4SE 21H) Page Program (PP 02H or 4PP 12H)
i、 擦除之前必須先執行寫使能操作；
ii、 擦除期間，WIP置1；擦除完成，WIP置0；注意：WIP是在片選取消后被置位的；
iii、地址可以是待擦除扇區內的任意地址；
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32KB Block Erase (BE32 52H or 4BE32 5CH)
i、 擦除之前必須先執行寫使能操作；
ii、 擦除期間，WIP置1；擦除完成，WIP置0；注意：WIP是在片選取消后被置位的；
iii、地址可以是待擦除塊區內的任意地址；
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64KB Block Erase (BE64 D8H or 4BE64 DCH)
i、 擦除之前必須先執行寫使能操作；
ii、 擦除期間，WIP置1；擦除完成，WIP置0；注意：WIP是在片選取消后被置位的；
iii、地址可以是待擦除塊區內的任意地址；
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Chip Erase (CE) (60/C7H)
i、 擦除之前必須先執行寫使能操作；
ii、 擦除期間，WIP置1；擦除完成，WIP置0；注意：WIP是在片選取消后被置位的；
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Deep Power-Down (DP) (B9H)
i、 這個模式僅僅只能通過except the Release from Deep Power-Down and Read Device ID (RDI) 命令或者復位來退出；
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Enter 4-Byte Address Mode (B7H)
i、 狀態寄存器ADS位自動置1，表示已進入4字節地址模式；
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Exit 4-Byte Address Mode (E9H)
i、 狀態寄存器ADS位自動置0，表示已退出4字節地址模式；
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Clear SR Flags (30H)
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Release from Deep Power-Down and Read Device ID (RDI) (ABH)
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Read Manufacture ID/ Device ID (REMS) (90H)
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Read Identification (RDID) (9FH)
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Erase Security Registers (44H)
i、 該Flash有3組2048個字節的安全寄存器；
ii、擦除之前必須先執行寫使能操作；；
iii、擦除期間，WIP置1；擦除完成，WIP置0；注意：WIP是在片選取消后被置位的；
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Program Security Registers (42H)
i、 寫入操作至少寫入一個字節；
ii、編程之前必須先執行寫使能操作；；
iii、寫入期間，WIP置1；擦除完成，WIP置0；注意：WIP是在片選取消后被置位的；
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Read Security Registers (48H)
i、 可以讀取范圍內任意地址，並且地址自增；
ii、如果A0 – A10范圍超過7FFFH，會自動復位為0000H；
