1、主存儲器組織與設計（非常重要！）
1）半導體存儲器邏輯設計
2）動態存儲器的刷新
（1）定義：定期向電容補充電荷
（2）原因：動態存儲器依靠電容電荷存儲信息。平時無電源 供電，時間一長電容電荷會泄放，需定期向電容 補充電荷，以保持信息不變。
（3）注意刷新與重寫的區別：
- 刷新：非破壞性讀出的動態M，需補充電荷以保持原來的信息。
-
破壞性讀出后重寫，以恢復原來的信息。
（4）最大刷新間隔：2ms。在此期間，必須對所有動態單元刷新一遍。
（5）刷新方法：
-
按行讀。
-
刷新一行所用的時間——刷新周期（存取周期）
-
刷新一塊芯片所需的刷新周期數由芯片矩陣的行數決定。
- 對主存的訪問
-
CPU訪存：由CPU提供行、列地址，隨機訪問。
- 動態芯片刷新：由刷新地址計數器提供行地址，定時刷新。
-
（6）刷新周期的安排方式:
-
集中刷新:2ms內集中安排所有刷新周期。
-
分散刷新:各刷新周期分散安排在存取周期中。
- 異步刷新:各刷新周期分散安排在2ms內。每隔一段時間刷新一行。