計算機組成原理——存儲器系統考研題

（2009）

15.某計算機主存容量為 64KB，其中 ROM 區為 4KB，其余為 RAM 區，按字節編址。現用 2K×8 位的 ROM 芯片和 4K×4 位的 RAM 芯片來設計該存儲器，則需要上述規格的 ROM芯片數和 RAM 芯片數分別是
A．1、15        B．2、15   
C．1、30        D．2、30
答案：D
考點：存儲器芯片的組成
首先確定ROM的個數，ROM區為4KB，選用2K×8位的ROM芯片，需要片，采用字擴展方式；RAM區為60KB，選用4K×4位的RAM芯片，需要片，采用字和位同時擴展方式。

（2010）

15.假定用若干個2K x 4位芯片組成一個8K x 8為存儲器，則0B1FH所在芯片的最小地址是(  )
A.0000H              B.0600H
C.0700H              D.0800H

答案：D
考點：主存儲器擴展的地址分配

2K x 4位芯片組成一個8K x 8為存儲器，需要2K x 4的芯片8片。如果按字節編址，對應一個大小為8K×8位的存儲器，需要13位地址，其中高2位（先進行位擴展，再進行字擴展，所以兩個芯片位擴展后變為8位，這樣的8位芯片組需要4組）為片選地址，低11位為片內地址，而題目給出的地址0B1FH轉換為二進制為0 1011 0001 1111，其高3位為010，即片選地址為2。因此，地址0B1FH對應第2片芯片，該芯片的起始地址（最小地址）為

0 1000 0000 0000，即0800H。

 第一組的起始地址：
 000 00 0000 0000
 001 11 1111 1111
 第二組的起始地址：
 010 00 0000 0000
 011 11 1111 1111
 第三組的起始地址
 100 00 0000 0000
 101 11 1111 1111
 第四組的起始地址
 110 00 0000 0000
 111 11 1111 1111

 

16.下列有關RAM和ROM得敘述中正確的是( )
I RAM是易失性存儲器，ROM是非易失性存儲器
II RAM和ROM都是采用隨機存取方式進行信息訪問
III RAM和ROM都可用做Cache
IV RAM和ROM都需要進行刷新
A. 僅I和II             B. 僅II和III
C. 僅I ，II， III     D. 僅II，III，IV

答案：A
考點： RAM和ROM的區別
RAM是易失性存儲器，ROM是非易失性存儲器，都是采用隨機存取方式進行信息訪問，SRAM可以用來做Cache，RAM需要刷新。

 

（2011）

14．下列各類存儲器中，不采用隨機存取方式的是
A．EPROM       B．CDROM
 C．DRAM       D．SRAM
答案：B
考點：隨機存取方式的定義，光盤采用順序存儲

15．某計算機存儲器按字節編址，主存地址空間大小為64 MB，現用4M × 8位的RAM芯片組成32 MB的主存儲器，則存儲器地址寄存器MAR的位數至少是
A．22位   B．23位     C．25位     D．26位

答案：D
考點：主存地址空間和地址寄存器位數關系
64MB的主存地址空間，故而MAR的尋址范圍是64M，故而是26位。而實際的主存的空間不能代表MAR的位數。

 

（2012）

16．下列關於閃存（Flash Memory）的敘述中，錯誤的是
A. 信息可讀可寫，並且讀、寫速度一樣快
B. 存儲元由 MOS 管組成，是一種半導體存儲器
C. 掉電后信息不丟失，是一種非易失性存儲器
D. 采用隨機訪問方式，可替代計算機外部存儲器

答案：A
解析：閃存的寫操作必須在空白區域進行，如果目標區域已經有數據，必須先擦除后寫入，而讀操作不必如此，所以閃存的讀速度比寫速度快。其他三項均為閃存的特征。

 引申一個問題：通用微機是否可以采用Flash Memory作為主機？

不可以，閃存需要將整片或這個分區擦除后才能寫入，而且擦除寫入時間又長，不能作為一般微機的主存，但可以作為磁盤的補充設備

 

（2014）

15. 某容量為256M的存儲器，由若干4M*8位的DRAM芯片構成，該DRAM芯片的地址引腳和數據引腳總數是：     
    A  19       B  22     C  30    D  36

答案：A

 

主要這里的說法是該DRMA芯片，所以256M這個信息沒有作用。容量為 4M * 8，則需要 22 條地址線、8 條數據線。
DRAM 芯片的地址線，在芯片中，是分時復用的，僅需一半的引腳數，即夠用。

 

（2015）

 

17．下列存儲器中，在工作期間需要周期性刷新的是。
A．SRAM        B．SDRAM
C．ROM         D．FLASH
答案：B

DRAM的數據以電荷的形式保存在電容中，需要以刷新的方式，不斷為電容充放電；而SRAM則以雙穩態為存儲單元，不需要周期性的刷新。

 

18、某計算機使用4 體交叉編址存儲器，假定在存儲器總線上出現的主存地址（十進制）序列為 8005，8006，8007，8008，8001，8002，8003，8004，8000，則可能發生訪存沖突的地址對是（）
A．8004和8008       B．8002和8007
C．8001和8008       D．8000 和8004

 

答案：D
解析：交叉存儲器，又稱低位交叉編址。
本題中，主存地址模4后對應的體號分別是：1,2,3,4,1,2,3,4,4。地址為8004和8000都是存取的四號儲存器，可能導致8004存儲還未完成而又存取8000地址，因此可能發生緩存沖突。

 

（2016）

 

16.某存儲器容量為64kB，按字節編址。地址4000H~5FFFH為ROM區，其余為RAM區。若采用8K*4位的SRAM芯片進行設計，則需要該芯片的數量是（）
A. 7    B. 8    C. 14    D. 16

 

答案：C
解析： ROM地址空間4000H~5FFFH為8K，則RAM容量=64-8=56KB=56K*8，采用字和位同時擴展方式（56K*8）/（8K*4）=14

 存儲器設計  

、

前三位是片選地址，從000到010可知，需要三片，但ROM是8位的，RAM也需要8位，所以還要進行位擴展，最后得到需要8K * 4的芯片6片。

 

 

例題解析--存儲器擴展2

 

通過對ROM和RAM的地址分析，我們會發現一個問題，二者由於基本芯片的容量不同導致了需要的片選地址不同，該如何解決？下面給出兩個方案。

 

方案一：
以內部地址少為主，地址譯碼方案：
Y0和Y1選ROM
Y4選RAM1，Y5選RAM2

方案二：
以內部地址多為主，地址譯碼方案：
用A15和A14作譯碼器輸入
Y0選ROM；Y2選RAM1和RAM2
當A13=0時選RAM1，當A13=1時選RAM2