BJT共射級電路放大器是比較常用的一種放大電路，不同於前面的共基級放大器單一的電路形式，共射級放大器的設計比較靈活，歷史上人們曾經設計出過很多各種各樣的共射級放大器。最常用的是以下三種形式的共射放大電路（見下圖3-06.01）。一般只要掌握了這三種電路的共通分析方法，那以后再遇到其他比較偏門的共射電路時，我們也可以按照我們已掌握的共通方法，分析出其基本電路特性。
圖 3-6.01
1. 固定偏置
固定偏置（fixed-bias configuration）是最簡單的共射放大電路結構，我們現以npn型晶體管為例對齊進行直流分析。
（1） 輸入靜態工作點
我們將固定偏置的共射放大電路重畫於下，在直流分析（靜態分析）時，可將動態輸入電壓vi視為0。
圖 3-6.02
對於輸入端回路，BJT的發射結正偏，我們采用簡化分析模型，假設VBE固定為0.7V。因此在輸入回路可得：
上式的IB即為輸入端的靜態工作電流，在上式中我們可以取合適得RB，而得到一個比較合理得IB值（一般為幾個微安級）。
（2） 輸出靜態工作點
輸出靜態工作點，即為求VCE和IC，我們將輸出回路的電壓電流關系畫於下圖：
圖 3-6.03
當BJT工作於正常的放大區時：
在輸出回路可得：
上兩式中的VCE和IC即為輸出的靜態工作點。
（3） 飽和條件
在共射電路中的飽和條件與共基電路稍有不同，在共基電路中，VCE<0會進入飽和，而在共射電路中，只要VCE<VCEsat（一般我們常近似取為0.3V），晶體管就會進入飽和。因此，我們可以算出此時的集電極飽和電流ICsat，
當共射電路的進入飽和時，輸入端IB的繼續增大不會使輸出電流IC繼續增大，雖然不會像共基電路那樣損壞晶體管，但會使基極電流IB與射極電流IC之間的放大倍數小於原來的β參數。
（4） 固定偏置的缺點
固定偏置的優點是：結構簡單、概念清晰。但是我們一般很少將固定偏置電路直接應用於實際設計，原因在於固定偏置電路有一個致命的缺點：就是工作點不穩。
前面曾經說過，由於半導體器件加工工藝的限制，一般參數都會偏離標准值，比如對某個BJT來說，放大系數β在50~200范圍內都算正常，整整差了4倍。那么根據上式：
同樣的電路，輸出靜態電流IC就會差整整4倍，輸出靜態電壓VCE也會有較大范圍的變化，由此帶來的電路功耗、放大倍數等一系列性能也會跟着變化，這樣不穩定的性能是無法在實際產品中使用的。
2. 改進的固定偏置
（1） 負反饋的作用
在固定偏置的發射極增加一個射極電阻RE，可以大大提高電路的穩定性，如下圖所示，這種形式的電路也可以稱為射極偏置（emitter-bias Configuration）：
圖 3-6.04
這種設計稱為“負反饋”設計，負反饋設計是一個很龐大的話題，這里你可以先簡單將其理解為：負反饋結構的電路本身有一種穩定作用，當某種非正常因素（比如β值偏移，溫度影響等等）導致電路工作點偏移時，負反饋結構會迫使電路工作點回向正常值方向移動，從而減小偏移值，提高穩定性。
我們這里先粗略定性地看一下射極電阻RE對提高電路穩定性的作用：
（1）當放大系數β增大導致IC增大時，流過RE的電流IE也會增大，由此會導致E點的的電壓VE升高。
（2）當VE升高，由於VBE保持固定值0.7V不變，因此結果導致B點電壓VB升高。
（3）VB升高，但VCC不變，由此導致RB兩端的壓降減小，從而導致輸入電流IB減小。
（4）IB的減小最終會導致IC的減小，抑制了前面因β增大導致IC增大的效應，因此提高了電路的穩定性。
當然，如果你若要深究的話，又會發現：IC的減小會導致IE的減小，再導致VE的減小和VB的減小，然后又使得IB增大……那么，究竟哪個對最終結果的影響力更大些？這個就需要下面的定量分析了。
（2） 靜態工作點分析
圖 3-6.05
● 先看輸入回路：
輸入回路的關系式為：
解得：
● 再看輸出回路：
當BJT工作於放大區時：
輸出回路的關系式為：
為簡化計算，設IE≈IC，最終解得：
● 關於簡化運算的說明：
這里你可能還有一點小疑惑，為什么在輸入回路中，不把(1+β)簡化成≈β，不去掉那個1？而在輸出回路中，卻做了IE≈IC¬的簡化，去掉了那個1呢。其實理由很簡單：輸入回路的計算式中，即便留着那個1，計算起來也不麻煩，所以就放着了。而在輸出回路的計算式中，留着那個1算起來稍微有點麻煩了，所以就把它給去掉了。
聽着是不是很隨意呢？其實這就是工程中模擬電路的魅惑點所在。因為實際的模擬電路要面臨很多的不確定參數的影響（比如，常規使用的電阻都是5%的誤差等級的；BJT等半導體器件的參數甚至會有50%以上的偏差；受溫度影響，很多參數也會偏）。你辛辛苦苦算出來的精確解，僅一個5%的電阻阻值偏差就可以把結果給帶偏。所以，太精確的計算有時並不是很必要，很多計算都可以作簡化。那么，究竟對哪些部分可以做簡化，哪些部分不作簡化呢？這個在很大程度上取決於設計者本人的經驗（或者說直覺）。
所以，有時你可以看到在一些不同的模電教材上，對於同樣形式的電路，不同的作者會給出稍微有點不同的公式，這個是因為他們各自取的簡化點不同。但是，分析原理肯定都是一樣的，而且他們的結果也都是可用的。這個隨着你本人經驗的增長，就會理解他們各自的做法了。
案例3-6-1： 在下圖中，計算當β=50和β=200時的IB, IC, VCE，並進行比較。
解： （1）當β=50時：
假設BJT工作於放大區：
再來求VCE：
驗證：VCE1 > VCESat，說明前面關於BJT工作於放大區的假設正確。
（2）當β=200時：
假設BJT工作與放大區：
再來求VCE：
驗證：VCE2 > VCESat，說明前面關於BJT工作於放大區的假設正確。
（3）比較：
當β1和β2相差4倍時：
IC1和IC2只相差2.5倍，說明反饋電阻RE確實改善了電路的穩定性。
另外，當β=200時，VCE2僅比飽和閾值VCESat (0.7V)大一點點，已處於放大區的邊緣，還可以勉強工作。若是沒有反饋電阻RE，BJT會早早地就進入飽和區，而不能起正常放大作用了。
（3） 飽和條件
當VCE<VCESat時，晶體管進入飽和區。因此，我們可以算出此時的集電極飽和電流ICsat，
當IC>ICsat時，晶體管進入飽和。
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