所謂的“共面”，即阻抗線和參考層在同一平面，即阻抗線被VCC/GND所包圍，
周圍的VCC/GND即為參考層。
相較於單端和差分阻抗模型，共面阻抗模型多了一個參數D1，即阻抗線和參
考層VCC/GND之間的間距。
在Palor Si9000中，下面紅色標注的工具欄圖標為coplanar模型組:
針對共面模型，下面只選幾種典型模型來進行說明，更詳細全面的內容
請參考同組筆記本下的"常見的阻抗模型---整理版"。
另外注意，此組模型都是wavegide模式。
1. Surface coplanar waveguide 1B
適用范圍:
外層蝕刻后單線共面阻抗，阻抗線被VCC/GND所包圍，周圍的VCC/GND即為參考層，而次外層(innerlay 2)為線路層，而非VCC/GND參考層。
參數說明:
2.Coated coplanar waveguide 1BH1:外層到次外層之間的介質厚度W2:阻抗線上線寬W1:阻抗線下線寬D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚+電鍍銅厚Er1:介質層介電常數
適用范圍:
阻焊后單線共面阻抗，阻抗線被VCC/GND所包圍，周圍的VCC/GND即為參考層，而次外層(innerlay 2)為線路層，而非VCC/GND參考層。
參數說明:
H1:外層到次外層之間的介質厚度W2:阻抗線上線寬W1:阻抗線下線寬D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚+電鍍銅厚Er1:介質層介電常數CEr1:阻焊介電常數C1:基材阻焊厚度C2:線面阻焊厚度(后加工)
3.Surface coplanar waveguide with ground 1B
適用范圍:
外層蝕刻后單線共面阻抗，參考層為同一層面的VCC/GND和次外層VCC/GND。
參數說明:
H1:外層到次外層VCC/GND之間的介質厚度W2:阻抗線上線寬W1:阻抗線下線寬D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚+電鍍銅厚Er1:介質層介電常數
4.Edge-coupled Offset stripline 1B1A
適用范圍:
內層單線共面阻抗，阻抗線被VCC/GND所包圍，
周圍的VCC/GND即為參考層，而次外層(innerlay 2)為線路層，而非VCC/GND參考層。
參數說明:
H1:阻抗線路層到下一層之間的介質厚度H2:阻抗線路層到上一層之間的介質厚度W2:阻抗線上線寬W1:阻抗線下線寬D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚Er1:H1對應介質層介電常數Er2:H2對應介質層介電常數
適用范圍:
內層單線共面阻抗，參考層為同一層面的VCC/GND
和次外層VCC/GND。
參數說明:
H1:阻抗線路層到臨近VCC/GND之間的介質厚度H2:阻抗線路層到上一層之間的介質厚度W2:阻抗線上線寬W1:阻抗線下線寬D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚Er1:H1對應介質層介電常數Er2:H2對應介質層介電常數
6. Offset coplanar waveguide 1B1A
適用范圍:
內層單線共面阻抗，參考層為同一層面的VCC/GND
和及與其臨近的兩個VCC/GND層。
參數說明:
H1:阻抗線路層到臨近VCC/GND之間的介質厚度H2:阻抗線路層到較遠VCC/GND之間的介質厚度W2:阻抗線上線寬W1:阻抗線下線寬D1:阻抗線和同面參考VCC/GND之間的間距T1: 阻抗線銅厚=基板銅厚Er1:H1對應介質層介電常數Er2:H2對應介質層介電常數