本文介紹stm8s103f3這款單片機的eeprom的用法。
EEPROM是單片機應用系統中經常會用到的存儲器,它主要用來保存一些掉電后需要保持不變的數據。在以前的單片機系統中,通常都是在單片機外面再擴充一個EEPROM芯片,這種方法除了增加成本外,也降低了可靠性。現在,很多單片機的公司都推出了集成有小容量EEPROM的單片機,這樣就方便了使用,降低了成本,提高了可靠性。
1.介紹STM8S103F3的首地址及容量。
STM8單片機芯片內部也集成有EEPROM,容量從640字節到2K字節。最為特色的是,在STM8單片機中,對EEPROM的訪問就象常規的RAM一樣,非常方便。EEPROM的地址空間與內存是統一編址的,地址從004000H開始,大小根據不同的芯片型號而定。
stm8s103f3的EEPROM存儲結構如下:
由上圖可知,EEPROM的大小為0x00427f-0x004000+1=0x280=640bytes。
2.介紹EEPROM的解保護寄存器。
向該寄存器先寫入0XAE,然后寫入0X56就可以解除解保護。想該寄存器讀操作時,會返回0;
3.FLASH狀態寄存器
需要注意的是bit3,bit3為EEPROM區域解鎖標記,0表示保護使能,1表示保護失效。向FLASH_DUKR中寫入解鎖數據后通過查看FLASH_IAPSR寄存器的bit3來確定EEPROM區域已經解鎖。
bit2表示編程結束標志。對EEPROM區域進行寫操作后需要判斷該位來確定已經寫操作成功。
下面設計兩個程序程序,第一個程序給EEPROM中的004000H位置寫入一個值01H,少寫入Flash中。第二個程序先讀出004000H位置的值,然后給該值加1,再寫入到004000H位置,也即是說每次上電時,004000H位置的值會加1。同時為了觀察現象,在第二個程序中設置了一個LED燈,通過燈的亮滅次數來表示當前004000H位置的值。
第一個程序:
1 #include "iostm8s103f3.h" 2 3 void main() 4 5 { 6 7 unsigned char *p; 8 9 unsigned int i; 10 11 p = (unsigned char *)0x4000; // 指針p指向芯片內部的EEPROM第一個單元 12 13 // 對數據EEPROM進行解鎖 14 15 do 16 17 { 18 19 FLASH_DUKR = 0xae; // 寫入第一個密鑰 20 21 FLASH_DUKR = 0x56; // 寫入第二個密鑰 22 23 } while((FLASH_IAPSR & 0x08) == 0); // 若解鎖未成功,則重新再來 24 25 *p=1; // 寫入第一個字節 26 27 while((FLASH_IAPSR & 0x04) == 0); // 等待寫操作成功 28 29 }
第二個程序:
1 #include "iostm8s103f3.h" 2 unsigned char ch; 3 void delay (unsigned int times) 4 { 5 unsigned int i,j; 6 for(j=0;j<times;j++) 7 for(i=0;i<65535;i++); 8 } 9 void main() 10 { 11 unsigned char *p; 12 unsigned int i; 13 p = (unsigned char *)0x4000; // 指針p指向芯片內部的EEPROM第一個單元 14 // 對數據EEPROM進行解鎖 15 ch=0; 16 PD_DDR = 0x10; 17 PD_CR1 = 0x10; 18 PD_CR2 = 0x00; 19 do 20 { 21 FLASH_DUKR = 0xae; // 寫入第一個密鑰 22 FLASH_DUKR = 0x56; // 寫入第二個密鑰 23 } while((FLASH_IAPSR & 0x08) == 0); // 若解鎖未成功,則重新再來 24 *p = *p+1; // 寫入第一個字節 25 while((FLASH_IAPSR & 0x04) == 0); // 等待寫操作成功 26 ch=*p; // 將寫入的內容讀到變量ch中 27 for(i=0;i<ch;i++){ 28 PD_ODR = 0x00; 29 delay(4); 30 PD_ODR=0X10; 31 delay(4); 32 } 33 }
第二個程序下載完成之后,對開發版進行斷電和上電操作,上電后PD4所對應的LED燈就會閃爍,閃爍次數代表*p位置的值的大小。