原文:AO3401-ASEMI场效应管AO3401

编辑 Z AO 在SOT 封装里引出 个引脚,是一款低功耗场效应管。AO 的脉冲漏极电流 IDM 为 A,零栅极电压漏极电流 IDSS 为 uA,其工作时耐温度范围为 摄氏度。AO 的栅源电压 VGS 为 V。AO 的电性参数是:持续漏极电流 ID 为 . A,漏源电压 VDS 为 V,栅极阈值电压 VGS 为 . V,反向恢复时间 Trr 为 . NS。 AO 参数描述 型号:AO 封装:SOT ...

2021-12-23 16:44 0 985 推荐指数:

查看详情

ASEMI场效应管AO3401参数,AO3401规格,AO3401特征

编辑-Z 场效应管AO3401参数: 型号:AO3401 漏源电压(VDS):30V 栅源电压(VGS):±12V 连续漏极电流(I):4.2A 脉冲漏极电流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源击穿电压 ...

Sun Feb 27 00:15:00 CST 2022 0 1890
ASEMIAO3401场效应管吗,AO3401和三极管有什么区别?

编辑-Z ASEMIAO3401是属于场效应管,属于电压控半导体器件,AO3401具有高输入电阻、低噪声、低功耗、无二次击穿现象、安全工作区宽、温度和辐射影响小等优点,AO3401特别适用于高灵敏度和低噪声电路。 AO3401参数描述 型号:AO3401 封装:SOT-23 特性 ...

Fri Dec 10 00:56:00 CST 2021 0 1148
MOS管【AO3401】在电路中的运用,【AO3401】为何要选ASEMI

编辑-Z MOS管AO3401大家都非常熟悉了,今天用一个简单的电路举例说明一下MOS管【AO3401】在电路中的运用,以及【AO3401】为何要选ASEMI的。 【AO3401】参数描述 型号:AO3401 封装:SOT-23 特性:低功耗场效应管 电性参数:4.2A 30V ...

Sat Jan 01 00:16:00 CST 2022 0 740
ASEMI场效应管AO3400概述,AO3400参数,AO3400特性曲线

编辑-Z AO3400结合先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装,提供极低的RDS(ON),适用于负载开关或在PWM应用。下面分别介绍一下ASEMI场效应管AO3400概述,AO3400参数,AO3400特性曲线。 AO3400概述 30V N沟道MOSFET Vds 30V Id ...

Fri Dec 24 00:43:00 CST 2021 0 1032
AO3401应用之5V开关电路

AO3401来做了一个控制USB Vbus(5V)开关的小电路,小巧好用。 电路解析 PW_1为gpio控制口,正常情况下设为高电平输出状态,此时三极管Q1 S9014导通,Q2 mos管的栅极(G)相当于接地,栅极(G)和源极(S)间有负压-5V,mos管导通,漏极(D)有5V输出 ...

Mon May 06 18:31:00 CST 2019 0 4366
场效应管

一、场效应管介绍 场效应管全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效应晶体管,英文全称是Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor,取其英文全称大写首字母,简称MOS或MOSFET。它是电压控制电流的元器件(即利用栅极电压来控制漏 ...

Tue Aug 18 04:40:00 CST 2020 0 540
7N60-ASEMI场效应管7N60

编辑-Z 7N60在TO-220封装里引出3个引脚,是一款低功耗场效应管。7N60的脉冲二极管正向电流(ISM)为28A,漏源击穿电流(IDSS)为1uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。7N60的栅源电压(VGS)为±30V,导通电阻RDS(on)为1.2Ω。7N60的电性参数 ...

Fri Dec 17 01:19:00 CST 2021 0 121
ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏

编辑-Z ASEMI场效应管7N80怎么测量好坏?将万用表拨到“RX1K”位置,将电调调到零。7N80的字面朝向自身,从左到右:G(栅极)、D(漏极)、S(源极)。先将黑色表笔接G极,再将红色表笔分别接触D极和S极,然后交换表笔,再进行测量。如果这两次测量的结果都使万用表的指针不动,那么初步判断 ...

Fri Dec 17 01:20:00 CST 2021 0 120
 
粤ICP备18138465号  © 2018-2025 CODEPRJ.COM