Power Gating的設計(概述)
Leakage power隨着CMOS電路工藝進程,功耗越來越大。 Power Domain的開關一般通過硬件中的timer和系統層次的功耗管理軟件來進行控制,需要在一下幾方面做trade-o ...
Leakage power隨着CMOS電路工藝進程,功耗越來越大。 Power Domain的開關一般通過硬件中的timer和系統層次的功耗管理軟件來進行控制,需要在一下幾方面做trade-o ...
Switching Fabric的設計: 三種架構:P溝道的switch vdd(header switch),N溝道的switch vss(footer switch),兩個switch。 ...
Pswitch = Ceff * Vvdd^2*Fclk, Pshort-circuit = Isc * Vdd * Fclk, Pleakage = f(Vdd, Vth, W/L) 盡管對電 ...