編輯-Z 場效應管AO3401參數: 型號:AO3401 漏源電壓(VDS):30V 柵源電壓(VGS):±12V 連續漏極電流(I):4.2A 脈沖漏極電流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 結溫和存儲溫度范圍(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源擊穿電壓 ...
編輯 Z AO 在SOT 封裝里引出 個引腳,是一款低功耗場效應管。AO 的脈沖漏極電流 IDM 為 A,零柵極電壓漏極電流 IDSS 為 uA,其工作時耐溫度范圍為 攝氏度。AO 的柵源電壓 VGS 為 V。AO 的電性參數是:持續漏極電流 ID 為 . A,漏源電壓 VDS 為 V,柵極閾值電壓 VGS 為 . V,反向恢復時間 Trr 為 . NS。 AO 參數描述 型號:AO 封裝:SOT ...
2021-12-23 16:44 0 985 推薦指數:
編輯-Z 場效應管AO3401參數: 型號:AO3401 漏源電壓(VDS):30V 柵源電壓(VGS):±12V 連續漏極電流(I):4.2A 脈沖漏極電流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 結溫和存儲溫度范圍(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源擊穿電壓 ...
編輯-Z ASEMI的AO3401是屬於場效應管,屬於電壓控半導體器件,AO3401具有高輸入電阻、低噪聲、低功耗、無二次擊穿現象、安全工作區寬、溫度和輻射影響小等優點,AO3401特別適用於高靈敏度和低噪聲電路。 AO3401參數描述 型號:AO3401 封裝:SOT-23 特性 ...
編輯-Z MOS管AO3401大家都非常熟悉了,今天用一個簡單的電路舉例說明一下MOS管【AO3401】在電路中的運用,以及【AO3401】為何要選ASEMI的。 【AO3401】參數描述 型號:AO3401 封裝:SOT-23 特性:低功耗場效應管 電性參數:4.2A 30V ...
編輯-Z AO3400結合先進的溝槽MOSFET技術和低電阻封裝,提供極低的RDS(ON),適用於負載開關或在PWM應用。下面分別介紹一下ASEMI場效應管AO3400概述,AO3400參數,AO3400特性曲線。 AO3400概述 30V N溝道MOSFET Vds 30V Id ...
用AO3401來做了一個控制USB Vbus(5V)開關的小電路,小巧好用。 電路解析 PW_1為gpio控制口,正常情況下設為高電平輸出狀態,此時三極管Q1 S9014導通,Q2 mos管的柵極(G)相當於接地,柵極(G)和源極(S)間有負壓-5V,mos管導通,漏極(D)有5V輸出 ...
一、場效應管介紹 場效應管全稱是金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效應晶體管,英文全稱是Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor,取其英文全稱大寫首字母,簡稱MOS或MOSFET。它是電壓控制電流的元器件(即利用柵極電壓來控制漏 ...
編輯-Z 7N60在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。7N60的脈沖二極管正向電流(ISM)為28A,漏源擊穿電流(IDSS)為1uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。7N60的柵源電壓(VGS)為±30V,導通電阻RDS(on)為1.2Ω。7N60的電性參數 ...
編輯-Z ASEMI場效應管7N80怎么測量好壞?將萬用表撥到“RX1K”位置,將電調調到零。7N80的字面朝向自身,從左到右:G(柵極)、D(漏極)、S(源極)。先將黑色表筆接G極,再將紅色表筆分別接觸D極和S極,然后交換表筆,再進行測量。如果這兩次測量的結果都使萬用表的指針不動,那么初步判斷 ...