1. 先看下原理圖,原理圖是電流從IDAC1流出,提供驅動,然后R(REF)這個電阻上的電壓作為參考,讀取AIN0和AIN1的電壓,那么可以測量出來電阻值。 2. 上圖是官方給出的參考,下圖是我實際用的原理圖,其中PT100的是在0攝氏度的時候,是100歐姆,上升1攝氏度,電阻增加 ...
STM 調試PT . 主控芯片:STM L ZG . 使用芯片內部ADC . 注意事項: 首先對硬件電路進行公式的換算得出真實的電壓和采集的電壓 一定要測量ADC入口端的電壓值和ADC采出來的是不是一樣 使用電壓反推出PT 的電阻如下圖所示: 采集出來的是Vo。反推出PT 的電阻。通過電阻可以查表計算也可以根據公式計算 所以公式分兩段,推出溫度和電阻的對應關系 待驗證 已經驗證過 注意:首先確認自 ...
2021-12-20 15:15 0 1380 推薦指數:
1. 先看下原理圖,原理圖是電流從IDAC1流出,提供驅動,然后R(REF)這個電阻上的電壓作為參考,讀取AIN0和AIN1的電壓,那么可以測量出來電阻值。 2. 上圖是官方給出的參考,下圖是我實際用的原理圖,其中PT100的是在0攝氏度的時候,是100歐姆,上升1攝氏度,電阻增加 ...
P100電壓采集放大電路:前半部分是4.096V恆壓源電路,然后是一個橋式電壓采樣電路,后面是一個電壓放大電路。一 4.096V恆壓源電路: 因Vref = 2.5V,故有4.096 = (1 + R1/R2)*2.5,得出R1/R2 = 1.6384,可以通過調節滑動變阻器實現 ...
最近溫度測試這塊,已使用過pt100、pt1000,和熱電偶,這里進行大致的總結。1、pt系列pt100和pt1000的精度相比較,1000更加精細,畢竟他的電阻值更加大。兩個電阻都是有分度表的,pt100是0度對應100歐姆,pt1000是0度對應1000歐姆,他倆的阻值會隨着溫度的變化而改變 ...
據說Flash的擦寫次數是有限的,所以在調試的時候擦來擦去不好,看到boot0、boot1可以配置從SRam啟動,就查了相關資料,試了一下,ok了。記錄一下,免得以后又忘了。跟flash調試部分相同的就不再描述了,重點在於SRam調試的設置部分,大部分以圖片形式 ...
CubeMX生成的MSC,默認堆大小式0x200,設備管理器黃色嘆號,提示由於僅部分匹配或匹配不明確,因此無法遷移設備 將堆大小改為0xf00,能夠識別出大容量存儲設備。 CubeMX生成的vi ...
(成功了)。 小孫想要總結這一年來學到的關於stm32的USB相關知識,但又 ...
在學習STM32的時候,由於燒FLASH的所造成的時間會比較慢,而在SRAM中調試的時間會比FLASH快很多,再加上FLASH的時候會經常擦除芯片,會對芯片的壽命造成一定的影響, 其實我本人覺得在學習STM32的路途中,沒有必要也大可不必使用燒FLASH的路徑來對芯片進行實驗性的學習 ...
2019年11月 一般來說,STM32的調試可以使用SWD。SWCLKGNDTMSRST SWDIOTDO_SWO 最為重要的就是三根線: GND、CLK、DIO。 供電為3.3V。可以不接。 其中DIO是在7-th pin上,而CLK是在9-th pin上。GND在下面一排基本都是 ...