編輯-Z 場效應管AO3401參數: 型號:AO3401 漏源電壓(VDS):30V 柵源電壓(VGS):±12V 連續漏極電流(I):4.2A 脈沖漏極電流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 結溫和存儲溫度范圍(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源擊穿電壓 ...
編輯 Z ASEMI的AO 是屬於場效應管,屬於電壓控半導體器件,AO 具有高輸入電阻 低噪聲 低功耗 無二次擊穿現象 安全工作區寬 溫度和輻射影響小等優點,AO 特別適用於高靈敏度和低噪聲電路。 AO 參數描述 型號:AO 封裝:SOT 特性:低功耗場效應管 電性參數: . A V 持續漏極電流 ID : . A 脈沖漏極電流 IDM : A 漏源電壓 VDS : V 柵源電壓 VGS : V ...
2021-12-09 16:56 0 1148 推薦指數:
編輯-Z 場效應管AO3401參數: 型號:AO3401 漏源電壓(VDS):30V 柵源電壓(VGS):±12V 連續漏極電流(I):4.2A 脈沖漏極電流(IDM):30A 功耗(PD):1.4W 結溫和存儲溫度范圍(TJ, TSTG):-55 to 150℃ 漏源擊穿電壓 ...
編輯-Z AO3401在SOT-23封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。AO3401的脈沖漏極電流(IDM)為30A,零柵極電壓漏極電流(IDSS)為1uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。AO3401的柵源電壓(VGS)為±12V。AO3401的電性參數是:持續漏極電流(ID ...
編輯-Z MOS管AO3401大家都非常熟悉了,今天用一個簡單的電路舉例說明一下MOS管【AO3401】在電路中的運用,以及【AO3401】為何要選ASEMI的。 【AO3401】參數描述 型號:AO3401 封裝:SOT-23 特性:低功耗場效應管 電性參數:4.2A 30V ...
用AO3401來做了一個控制USB Vbus(5V)開關的小電路,小巧好用。 電路解析 PW_1為gpio控制口,正常情況下設為高電平輸出狀態,此時三極管Q1 S9014導通,Q2 mos管的柵極(G)相當於接地,柵極(G)和源極(S)間有負壓-5V,mos管導通,漏極(D)有5V輸出 ...
編輯-Z AO3400結合先進的溝槽MOSFET技術和低電阻封裝,提供極低的RDS(ON),適用於負載開關或在PWM應用。下面分別介紹一下ASEMI場效應管AO3400概述,AO3400參數,AO3400特性曲線。 AO3400概述 30V N溝道MOSFET Vds 30V Id ...
三極管 1、什么是晶體三極管? 答:由半導體組成的具有三個電極的晶體管。結構圖如下(圖片來自於網絡): 三極管的特點:利用輸入電流控制輸出電流的電流控制型器件。 三種工作狀態:放大狀態、截止狀態、飽和狀態。 (1)、放大狀態 當工作在放大狀態時,假設基極電流為 IB ,將在集電極 ...
http://www.kiaic.com/article/detail/1308.html 場效應管種類場效應管 場效應晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應管。主要有兩種類型(junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管 ...
編輯-Z 7N60在TO-220封裝里引出3個引腳,是一款低功耗場效應管。7N60的脈沖二極管正向電流(ISM)為28A,漏源擊穿電流(IDSS)為1uA,其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。7N60的柵源電壓(VGS)為±30V,導通電阻RDS(on)為1.2Ω。7N60的電性參數 ...