10N60-ASEMI品質大功率場效應管
編輯：ll 10N60-ASEMI品質大功率場效應管 型號：10N60 品牌：ASEMI 封裝：TO-220 電流：10A 電壓：600V 正向電壓： 引腳數量：3 芯片個數： 芯片尺寸： 漏電流： 特性：大電流、場效應管 工作溫度：-55~+150℃ 10N60的電性 ...
原文：25N120-ASEMI大功率場效應管25A 1200V
編輯：ll N ASEMI大功率場效應管 A V 型號： N 品牌：ASEMI 封裝：TO 電性參數： A V 正向電流： A 反向耐壓： V 引腳數量： 芯片個數： 芯片尺寸： 封裝尺寸：如圖 特性：大電流 MOS管 浪涌電流： 工作溫度： 產品描述 場效應晶體管簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管和金屬 氧化物半導體場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控制型半導 ...
2021-10-26 11:03 0 104 推薦指數：
相關推薦
MOS管25N120參數，ASEMI場效應管25N120應用
編輯-Z 25N120在TO-220封裝里引出3個引腳，是一款低功耗場效應管。25N120的脈沖二極管正向電流(IFM)為150A，G-E漏電流(IGES)為250nA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。25N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±20V。25N120的電性參數 ...
ASEMI場效應管25N120參數，25N120規格，25N120描述
編輯-Z 25N120詳細參數： 型號：ASEMI場效應管25N120 集電極-發射極電壓（VCES）：1200V 柵極-發射極電壓（VGES）：±20V 集電極電流（IC）：25A 脈沖集電極電流（ICM）：75A 二極管連續正向電流（IF）：25A 二極管最大正向電流（IFM ...
MOS管25N120-ASEMI是什么
管 電性參數：25A 1200V 芯片材質：GPP 集電極電流(Ic)：25A 脈沖集電極電流( ...
15N120-ASEMI場效應管15N120
編輯-Z 15N120在TO-220封裝里引出3個引腳，是一款低功耗場效應管。15N120的二極管浪涌正向電流(IFM)為45A，G-E漏電流(IGES)為100nA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。15N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±20V。15N120的電性參數是：二極管 ...
40N120-ASEMI低功耗場效應管40N120
編輯-Z 40N120在TO-220封裝里引出3個引腳，是一款低功耗場效應管。40N120的脈沖集電極電流(ICM)為160A，G-E漏電流(IGES)為250nA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。40N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±25V。40N120的電性參數是：集電極 ...
ASEMI場效應管40N120的參數特點和作用優勢
編輯-Z 40N120參數描述 型號：40N120 封裝：TO-220 特性：低功耗場效應管 電性參數：40A 1200V 集電極電流(IC)：40A 脈沖集電極電流(ICM)：160A 集電極-發射極電壓(VCES)：1200V 柵極-發射極電壓(VGES)：±25V G-E ...
7N60-ASEMI場效應管7N60
編輯-Z 7N60在TO-220封裝里引出3個引腳，是一款低功耗場效應管。7N60的脈沖二極管正向電流(ISM)為28A，漏源擊穿電流(IDSS)為1uA，其工作時耐溫度范圍為-55~150攝氏度。7N60的柵源電壓(VGS)為±30V，導通電阻RDS(on)為1.2Ω。7N60的電性參數 ...