原文:EUV極紫外光刻技術

EUV極紫外光刻技術 極紫外光 波長為 . nm 的極紫外 EUV 光刻系統的最新發展,以取代 i 光刻。為了應對多圖案成本上升的趨勢,EUV 系統在曝光吞吐量 每小時晶圓數 ,曝光強度和系統正常運行時間方面已達到生產狀態。 如上圖所示,業界正在積極開展研發工作,以發布第二代 EUV 系統。該系統將在透鏡路徑中加入更高的數值孔徑 NA . ,從而實現更精細的間距分辨率,並再次重新校准 EUV 多重 ...

2021-07-24 06:07 0 396 推薦指數:

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EUV光刻機市場與技術

EUV光刻機市場與技術 EUV光刻機市場 EUV光刻機已經成為芯片制造的支柱,台積電和三星等晶圓廠這幾年不斷追逐5nm和3nm等先進工藝,本身就是EUV光刻機采購大戶,再加上現在這幾大晶圓廠紛紛擴產建廠,無疑又加大了對EUV光刻機的需求。 除了晶圓廠等邏輯廠商之外,存儲廠商也逐漸來到光刻 ...

Sun Jul 18 15:26:00 CST 2021 0 429
光刻技術發展

光刻技術發展 光刻機作用 光刻機(英文“Mask Aligner”) ,又名掩模對准曝光機,芯片制造流程中光刻工藝的核心設備。芯片的制造流程極其復雜,可以概括為幾大步驟:硅片的制備-->外延工藝-->熱氧化-->擴散摻雜-->離子注入-->薄膜制備-->光刻 ...

Sun Jun 13 14:54:00 CST 2021 0 3767
光刻技術領地

光刻技術領地 上海微電子裝備(集團)股份有限公司(簡稱SMEE)主要致力於半導體裝備、泛半導體裝備、高端智能裝備的開發、設計、制造、銷售及技術服務。公司設備廣泛應用於集成電路前道、先進封裝、FPD面板、MEMS、LED、Power Devices等制造領域。 SMEE致力於以極致服務 ...

Fri May 14 14:13:00 CST 2021 0 292
光刻技術解析

光刻技術解析 利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對塗有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發生性質變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用,類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上,而光刻刻的不是照片,而是電路圖和其他電子元件 ...

Mon Jul 13 18:16:00 CST 2020 2 1363
光刻技術解析

光刻技術解析 利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對塗有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發生性質變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用。這就是光刻的作用,類似照相機照相。照相機拍攝的照片是印在底片上,而光刻刻的不是照片,而是電路圖和其他電子元件 ...

Sat Jun 06 00:02:00 CST 2020 0 1724
[IC]Lithograph(1)光刻技術分析與展望

文章主體轉載自: 1.zol摩爾定律全靠它 CPU光刻技術分析與展望 2.wiki:Extreme ultraviolet lithography 3.ITRS 2012 1. 光刻技術組成和關鍵點 ● 光刻技術的組成與關鍵點   光刻的基本原理是利用光致抗蝕劑(或稱光刻膠)感光后 ...

Tue Nov 05 21:16:00 CST 2013 0 3346
台積電5nm光刻技術

節點,並使用EUV紫外光刻技術擴展到10多個光刻層,與7納米相比減少了生產總步驟。 關鍵數字 如 ...

Wed Mar 17 14:02:00 CST 2021 0 309
等離子體技術【十六】--EUV激光器

以下摘自《CO2激光驅動錫靶產生極紫外光源的實驗研究》 一、EUV簡介   在下一代光刻機光源的候選名單中,最受大家關注的是,離子體輻射極紫外光(EUV: extreme ultraviolet),極紫外光刻技術能夠使特征尺寸小到50nm以內。   某些靶材的等離子體輻射出EUV ...

Thu Jul 29 18:54:00 CST 2021 0 133
 
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