原子層沉積技術 原子層沉積技術 原子層沉積,ALD 是一種適合於研制最新的和前沿性的產品的薄膜制備技術。原子層沉積 ALD 也是一種用於納米技術研究的有效方法。典型的原子層沉積應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。針對目前的市場需要,Beneq 通過提供具有創新性 ...
薄膜封裝,等離子體技術,原子層沉積,化學氣相沉積 薄膜封裝 薄膜封裝概念 薄膜真空沉積的一個很重要的技術應用就是薄膜封裝。人們對薄膜封裝最簡單的認識就是日常生活中最常見的保鮮膜,水氧滲透率大約是 g m day。先進薄膜封裝,通過真空沉積一層或多層厚度在納米或微米尺度的薄膜,大幅減少本體與外界環境之間的物質交換,達到保護本體或外界環境的功能,一般來說水氧滲透率小於 . g m day。 化學沉積, ...
2021-05-17 05:59 0 2351 推薦指數:
原子層沉積技術 原子層沉積技術 原子層沉積,ALD 是一種適合於研制最新的和前沿性的產品的薄膜制備技術。原子層沉積 ALD 也是一種用於納米技術研究的有效方法。典型的原子層沉積應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。針對目前的市場需要,Beneq 通過提供具有創新性 ...
原子層沉積(ALD)和化學氣相沉積(CVD)微電子制造銅金屬化的研究進展 Atomic Layer Deposition (ALD) and Chemical Vapor Deposition (CVD) of Copper-based Metallization ...
Atomic Layer Deposition原子層沉積技術 原子層沉積技術(Atomic Layer Deposition)是一種原子尺度的薄膜制備技術。可以沉積均勻一致,厚度可控、成分可調的超薄薄膜。隨着納米技術和半導體微電子技術的發展,器件和材料的尺寸要求不斷地降低,同時器件結構中的寬深 ...
【轉】http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1185.html 1. Plasma:廣泛應用而又復雜的物理過程 等離子體刻蝕在集成電路制造中已有40余年的發展歷程,自70年代引入用於去膠,80年代成為集成電路領域成熟的刻蝕技術 ...
轉自北方華創官網:http://www.naura.com/index.php/innovate/news_art/1186.html 本文介紹了脈沖等離子體技術在干法刻蝕領域的應用背景,從半導體制程工藝需求層面講述了納米量級的刻蝕制程對等離子體參數的需求。重點對脈沖等離子體工作機制、脈沖匹配 ...
摘自《真空鍍膜技術》--張以忱 一、直流放電的特性 1、暗光放電(A點-B點):開始給陰極施加負電壓-->放電電流密度較小,僅為10^-16到10^-14(A/cm2) 2、Townsend放電區(C點-D點):電壓繼續增大,進入湯森放電區。 特點:電壓受電源輸出阻抗 ...
摘自《等離子體放電原理與材料處理》1.3.1 摘自《等離子體蝕刻及其在大規模集成電路制造中的應用》2.3.1 ...
以下摘自《CO2激光驅動錫靶產生極紫外光源的實驗研究》 一、EUV簡介 在下一代光刻機光源的候選名單中,最受大家關注的是,離子體輻射極紫外光(EUV: extreme ultraviolet),極紫外光刻技術能夠使特征尺寸小到50nm以內。 某些靶材的等離子體輻射出EUV ...