【SRAM學習筆記】SRAM的工作原理
一個SRAM單元如上圖所示，M1 M2，M3 M4分別組成反相器，兩個反相器首尾相連。M5與M6為兩個NOMS，他們的柵極連接再WL上，讀寫時，都需要在WL上加電壓。 如何讀取SRAM中存儲的電壓 當讀取時，BLn和 BL兩根線上加標准電壓。假設Q為高電平（Q=1），Qn則為 ...
原文：SRAM電路工作原理
近年來，片上存儲器發展迅速，根據國際半導體技術路線圖 ITRS ，隨着超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發展，晶體管特征尺寸進一步縮小，半導體存儲器在片上存儲器上所占的面積比例也越來越高。接下來宇芯電子介紹SRAM的工作原理以及工作過程。SRAM 寫操作。寫操作就是把數據寫入指定的SRAM 存儲單元中。首先片選信號CEBB 置為低電平，讀控制電路開始運作。 位寫地址線AB AB 位數據輸入DI ...
2020-06-01 15:37 0 691 推薦指數：
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