SOCV/POCV 開篇 （1）
1.功能：模擬工藝偏差對芯片性能的影響 2. 40nm之前 flat derate模型可以基本覆蓋大部分情況 3.AOCV （Adance OCV) 考慮distance 和depth的影響。 ...
原文：論STA | POCV/SOCV 對lib 的要求 （4）
在芯片制造過程中的工藝偏差由global variation 和local variation 兩部分組成。 在集成電路設計實現中，global variation 用PVT 跟 RC corner 來模擬 local variation 用 OCV AOCV SOCV 來模擬。 在 nm 之前OCV 被廣泛采用，但是OCV 對同一條path 上的所有cell 都設同一個derate 值，如果設 ...
2019-08-22 23:38 0 384 推薦指數：
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