原文:陶瓷電容的結構、工藝、失效模式

陶瓷電容 MLCC 陶瓷電容的結構 工藝 失效模式 結構 MLCC呈長方體結構,由兩邊端子電極和內部電極組成。 . 端子電極結構 底層 銅Cu或Ag AgPd鍍層用於連接, AgPd含量高可以防硫化 中層 鎳 Ni 鍍層,以阻擋Ag AgPd和外層Sn發生反應 外層 錫 或SnPb 鍍層構成的,主要利於焊接。 . 內電極結構 內電極由極薄的陶瓷介質膜片和印刷在陶瓷片上面的電極材料以錯位方式層疊而 ...

2019-07-17 13:35 0 421 推薦指數:

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電容、鋁電解、陶瓷電容作為DCDC輸出電容的比較(???)

轉載於: http://blog.csdn.net/mmhh3000/article/details/7677490 P12 鉭電容在不同頻率下容量表現非常穩定;陶瓷電容不足夠穩定;鋁電解很不穩定; P13 在大范圍頻段內: 陶瓷電容的ESR表現得出奇地低(100k時最低 ...

Sat Mar 17 04:47:00 CST 2018 0 1282
貼片陶瓷電容器尺寸規格總結

以下摘自國巨一般目的電容說明書,Surface-Mount Ceramic Multilayer Capacitors,General Purpose,16V~50V,NP0, http://www.yageo.com/portal/product/product.jsp?NEXT_PAGE ...

Sat Aug 06 00:35:00 CST 2016 0 2244
鋁電解電容的組成與工藝步驟

組成:陽極箔、陰極箔、電解液、引線、套管、電解紙、鋁殼 陽極箔在上,陰極箔在下。陽極鋁箔厚,陰極鋁箔薄。 鋁電解電容工藝步驟: 裁切:slitting 釘卷:stittching&winding 含浸:impregnation 組立:assembling 清洗 ...

Wed Nov 17 03:21:00 CST 2021 0 129
【整理中】IC 失效機理(CMOS工藝

IC 四種常見失效機理如下: EM -- electron migration,電子遷移TDDB -- time dependent dielectric breakdown,與時間相關電介質擊穿 / 經時擊穿NBTI -- negative-bias temperature ...

Wed Feb 05 19:53:00 CST 2020 0 1778
功率器件封裝失效分析及工藝優化研究

本篇是摘自佛山市藍箭電子股份有限公司的陳逸晞同志。   封裝工藝是為了提升電子設備運行的可靠性,采取的相應保護措施,即針對可能發生的力學、化學或者環境等不確定因素的攻擊,利用封裝技術和特殊材料對電子設備進行保護。封裝技術已經廣泛應用於航空航天設備、汽車、計算機以及移動通信設備等諸多領域 ...

Thu Nov 04 06:40:00 CST 2021 0 1138
電容

抄錄:電子實物凡億教育 定義:由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件。 兩片金屬稱為的極板,中間的物質叫做介質。單位:電容的基本單位為“法拉” (F)。一般用它的導出單位:“微法拉” (UF)、 “納法拉” (NF)、“皮法” (PF)。 1F=106uF=109nF=1012pF ...

Sun Mar 22 04:41:00 CST 2020 0 1185
電容

1.電容基本公式: Q為電容電荷量 U為上下極板間的電壓 板間電場E=U/d e為介電常數 k為靜電力常量 S為兩板正對面積 d為兩板間距離 2.電容基本單位:nF 、pF、uF 104=10*10^4 pF=0.1uF 1F ...

Thu Dec 16 21:56:00 CST 2021 0 1767
Norflash壽命以及失效模式總結

由1變0的過程算一次壽命磨損。 flash每一個bit的壽命都是獨立的,也就是說一個bit的失效不影響 ...

Wed Dec 05 18:54:00 CST 2018 0 1054
 
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