原文:簡易晶體管圖示儀

簡易晶體管圖示儀 一 NE 時鍾電路 關於 時鍾電路的參數計算: 參考網站:http: www.elecfans.com tools dingshiqipinlv.html T off time . R C T . R R C F T . R R C D T T T 二 鋸齒波發生電路 在獲取到 時鍾電路的輸出后,可利用實驗書 頁的方案一設計鋸齒波 注:因為此電路是對低電平進行積分,而NE 時鍾 ...

2018-09-20 00:36 0 1933 推薦指數:

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用算法配對的晶體管圖示:第一部分 基本原理

目前常用的晶體管圖示,主要是測量,顯示晶體管的靜態(低頻)特性曲線,有些圖示可以將多個管子的特性曲線疊加顯示,通過觀察,了解不同管子特性的相似性。我們使用這種圖示,除了大致了解晶體管的靜態特性外,主要是用於配對。但用只能顯示特性曲線的圖示配對晶體管,效率是非常低的。下圖是8個同型號晶體管 ...

Sat Sep 18 03:30:00 CST 2021 0 137
晶體管的工作原理

晶體管,本名:半導體三極管(三極分別為發射極、基極和集電極;其中,發射極的電流最大,基極的電流最小,發射極的電流等於基極與集電極的電流之和)。對於晶體管,我們其實並不陌生,放大器就是晶體管的一個基礎應用。 要想理解晶體管的工作原理,就必須先要理解二極管的工作原理。二極管由半導體材料制作而成,下面 ...

Tue Feb 05 21:50:00 CST 2019 0 1308
3.2 雙極型晶體管

3.2 雙極型晶體管 3.2.1 晶體管的結構和類型 基區與發射區之間的PN結稱為發射結(Je) 基區與集電區之間的PN結稱為集電結(Jc) 放大的外部條件:Je 正向電壓(正偏),Jc 反向電壓(反偏) 集電區:接收載流子 發射區:發射載流子 基區:控制載流子 雙極型晶體管 ...

Mon Oct 18 05:48:00 CST 2021 0 1187
晶體管單管大電路三種基本接法比較

  在電子電路中,放大的對象是變化量,放大的本質是在輸入信號的作用下,通過有源元件(晶體管或場效應管)對直流電源的能量進行控制和轉換,使負載從電源中獲得的輸出信號能量比信號源向放大電路提供的能量大的多。晶體管放大電路有共射、共集、共基三種接法,場效應管有共源、共漏接法(與晶體管放大電路共射、共集 ...

Mon Mar 10 06:43:00 CST 2014 2 3996
ALD和CVD晶體管薄膜技術

ALD和CVD晶體管薄膜技術 現代微處理器內的晶體管非常微小,晶體管中的一些關鍵薄膜層甚至只有幾個原子的厚度,光是英文句點的大小就夠容納一百萬個晶體管還綽綽有余。ALD 是使這些極細微結構越來越普遍的一種技術。 ALD 工藝直接在芯片表面堆積材料,一次沉積單層薄膜幾分之一的厚度,以盡可能生成 ...

Sun May 16 16:29:00 CST 2021 0 1854
芯片內億萬的晶體管制程工藝

芯片內億萬的晶體管制程工藝 一.原理 晶體管並非是安裝上去的,芯片制造其實分為沙子-晶圓,晶圓-芯片這樣的過程,而在芯片制造之前,IC涉及要負責設計好芯片,然后交給晶圓代工廠。 芯片設計分為前端設計和后端設計,前端設計(也稱邏輯設計)和后端設計(也稱物理設計)並沒有統一嚴格的界限,涉及到 ...

Fri May 01 22:35:00 CST 2020 0 662
MEDICI仿真NMOS器件晶體管語法筆記

MEDICI仿真NMOS器件晶體管 TITLE TMA MEDICI Example 1 - 1.5 Micron N-Channel MOSFET 給本例子取的標題,對實際的模擬無用 COMMENT語句表示該行是注釋 MESH SMOOTH=1 創建器件結構 ...

Sat Jun 29 16:38:00 CST 2019 0 515
初級模擬電路:4-3 BJT晶體管的交流建模

回到目錄 1. 四種BJT模型概述 對BJT晶體管建模的基本思路就是,用電路原理中的五大基本元件(電阻、電容、電感、電源、受控源)構建一個電路,使其在一定工作條件下能等效非線性半導體器件的實際工作。一旦確定了交流等效電路,電路中的BJT就可以用這個等效電路來替代,然后用 ...

Fri Dec 13 17:26:00 CST 2019 0 326
 
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