非易失性存儲元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前兩者已經基本被淘汰了,因此我僅關注后兩者,本文對FLASH的基本存儲單元結構、寫操作、擦除操作和讀操作的技術進行了簡單介紹,對了NOR和NAND由存儲結構決定的特性和應用場合的差異,對后續的硬件 ...
轉自:http: blog. cto.com hardywang NAND Flash是一種非易失性隨機訪問存儲介質,基於浮柵 Floating Gate 晶體管設計,通過浮柵來鎖存電荷,電荷被儲存在浮柵中,它們在無電源供應的情況下仍然可以保持。關於NAND Flash技術基本原理之前有過講解,大家可以參考文章閃存技術最全面解析。今天主要討論下NAND Flash生產過程 架構和關鍵指標。 NAN ...
2017-12-28 17:01 0 2385 推薦指數:
非易失性存儲元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH,前兩者已經基本被淘汰了,因此我僅關注后兩者,本文對FLASH的基本存儲單元結構、寫操作、擦除操作和讀操作的技術進行了簡單介紹,對了NOR和NAND由存儲結構決定的特性和應用場合的差異,對后續的硬件 ...
Nand Flash ============= 來源 https://zhuanlan.zhihu.com/p/77492720 0. 引言: 最近想要從原理上了解3D Nand,搜了很多資料,發現很多資料都只側重某一方面,不夠系統詳細,於是把自己學習獲得的知識總結歸納 ...
u-boot分析(九) 上篇博文我們按照210的啟動流程,分析到了初始化串口,由於接下來的取消存儲保護不是很重要,所以我們今天按照u-boot的啟動流程對nand flash初始化進行分析。 今天我們會用到的文檔: 1. 2440芯片手冊:http ...
這里我想以一個純玩家的角度來談談關於NAND Flash的底層結構和解析,可能會有錯誤的地方,如果有這方面專家強烈歡迎指正。NAND Flash作為一種比較實用的固態硬盤存儲介質,有自己的一些物理特性,需要有基本的管理技術才能使用,對設計者來說,挑戰主要在下面幾點:1.需要先擦除才能寫入。2.損耗 ...
1.本節使用的nand flash型號為K9F2G08U0M,它的命令如下: 1.1我們以上圖的read id(讀ID)為例,它的時序圖如下: 首先需要使能CE片選 1)使能CLE 2)發送0X90命令,並發出WE寫脈沖 3)復位CLE,然后使能ALE 4)發送0X00地址 ...
1、NAND Flash 是一種存儲介質,要在上面讀寫數據,外部要加主控和電路設計。 2、eMMC是NAND flash+主控IC ,對外的接口協議與SD、TF卡類似;對廠家而言簡化了電路設計,降低了成本。 3、使用emmc的好處是,除了得到大容量的空間(這一點,只用NAND FLASH多堆疊 ...
http://blog.163.com/charlie_quan/blog/static/13010104620091110953549/ 所謂Flash,是內存(Memory)的一種,但兼有RAM和ROM 的優點,是一種可在系統(In-System)進行電擦寫,掉電后信息 ...
轉自:https://blog.csdn.net/wang_zheng_kai/article/details/18984873 我入職以來接觸的第一個實踐內容就是MTD下的NAND FLASH的驅動,下面我將從nand flash的基礎和驅動程序兩個方面來探討該知識點,同時最后我會 ...