原文:sram的讀和寫

sram的型號:ISSI IS LV TL 以上是數據手冊上的。 對sram的認識:SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM Dynamic Random Access Memory 每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數據即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積 ...

2014-11-13 20:42 0 7445 推薦指數:

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SRAM時序約束分析(轉)

引自:http://www.ednchina.com/ART_56059_18_20010_OA_862fa672.HTM SRAM使用的是ISSI的61LV5128,8位寬,19條地址線。FPGA內部有一個地址產生計數單元,因此數據操作時輸出管腳的時序起點就是這些地址產生單元。因為希望 ...

Fri Mar 23 18:02:00 CST 2012 0 5307
SRAM(靜態)存儲器芯片的/寫周期

一、 要保證正確地/,必須注意CPU時序與存儲器/寫周期的配合。一般存儲器芯片手冊都會給出芯片/寫周期的時序圖。 Intel 2114芯片的、寫周期時序如圖所示。 二、 周期 操作時,必須保證片選信號為低電平,讀寫信號為高電平。tRC (周期時間):指對芯片連續兩次操作 ...

Fri May 25 21:03:00 CST 2018 0 4713
GCD實現多

總結:首先棧欄函數的作用,是執行到當前位置,前面的全部任務都要等待,等待block內部任務執行完成后,繼續執行其他任務。(面試時候的問題,用鎖不知道能不能實現) ...

Sat Mar 07 04:17:00 CST 2020 0 627
Hbase為什么

1、Hbase為什么快 (1)根本原因是hbase的存儲引擎用的是LSM樹,是一種面向磁盤的數據結構:   Hbase底層的存儲引擎為LSM-Tree(Log-Structured Merge-Tree)。LSM核心思想的核心就是放棄部分能力,換取寫入的最大化能力。LSM Tree ...

Fri Nov 06 05:11:00 CST 2020 0 577
InfluxDB 存儲結構、

這篇最早是 2021 年 3 月的,最近又拿出來復習一遍,也補充了一些新的內容。上一篇博客發表過后已經 3 個月沒有發表新的博客,就把這篇拿出來了。內容沒有完全梳理完畢,算是筆記。先發出來,后續再逐漸完善。 InfluxDB 是開源的時序數據庫,采用列式存儲。原先有開源集群版本,但在 ...

Sun Aug 01 07:50:00 CST 2021 0 199
map可以並發,不能並發

不能並發的原因 元素丟失 // TODO 破壞map的結構 // TODO sync.Map相比RWLock在哪些點減少了加鎖的粒度,應該就是上述2點 // TODO sync.Map的原理應該就是減小了鎖的粒度, 如果操作既不會造成元素丟失,也不會破壞map結構,就不 ...

Sat Apr 04 07:55:00 CST 2020 0 729
 
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