引自:http://www.ednchina.com/ART_56059_18_20010_OA_862fa672.HTM SRAM使用的是ISSI的61LV5128,8位寬,19條地址線。FPGA內部有一個地址產生計數單元,因此數據讀操作時輸出管腳的時序起點就是這些地址產生單元。因為希望 ...
sram的型號:ISSI IS LV TL 以上是數據手冊上的。 對sram的認識:SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM Dynamic Random Access Memory 每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內部的數據即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積 ...
2014-11-13 20:42 0 7445 推薦指數:
引自:http://www.ednchina.com/ART_56059_18_20010_OA_862fa672.HTM SRAM使用的是ISSI的61LV5128,8位寬,19條地址線。FPGA內部有一個地址產生計數單元,因此數據讀操作時輸出管腳的時序起點就是這些地址產生單元。因為希望 ...
一、 要保證正確地讀/寫,必須注意CPU時序與存儲器讀/寫周期的配合。一般存儲器芯片手冊都會給出芯片讀/寫周期的時序圖。 Intel 2114芯片的讀、寫周期時序如圖所示。 二、 讀周期 讀操作時,必須保證片選信號為低電平,讀寫信號為高電平。tRC (讀周期時間):指對芯片連續兩次讀操作 ...
總結:首先棧欄函數的作用,是執行到當前位置,前面的全部任務都要等待,等待block內部任務執行完成后,繼續執行其他任務。(面試時候的問題,用鎖不知道能不能實現) ...
1、Hbase為什么寫比讀快 (1)根本原因是hbase的存儲引擎用的是LSM樹,是一種面向磁盤的數據結構: Hbase底層的存儲引擎為LSM-Tree(Log-Structured Merge-Tree)。LSM核心思想的核心就是放棄部分讀能力,換取寫入的最大化能力。LSM Tree ...
這篇最早是 2021 年 3 月寫的,最近又拿出來復習一遍,也補充了一些新的內容。上一篇博客發表過后已經 3 個月沒有發表新的博客,就把這篇拿出來了。內容沒有完全梳理完畢,算是筆記。先發出來,后續再逐漸完善。 InfluxDB 是開源的時序數據庫,采用列式存儲。原先有開源集群版本,但在 ...
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不能並發寫的原因 元素丟失 // TODO 破壞map的結構 // TODO sync.Map相比RWLock在哪些點減少了加鎖的粒度,應該就是上述2點 // TODO sync.Map的原理應該就是減小了鎖的粒度, 如果寫操作既不會造成元素丟失,也不會破壞map結構,就不 ...
//准備一下 while(Serial.available()>0) WifiSerial.write(Serial.read()); ...