sram的型號：ISSI IS61LV25616 -10TL
以上是數據手冊上的。
對sram的認識：SRAM不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，且功耗較大。所以在主板上SRAM存儲器要占用一部分面積。優點，速度快，不必配合內存刷新電路，可提高整體的工作效率。缺點，集成度低，掉電不能保存數據，功耗較大，相同的容量體積較大，而且價格較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。
接下來的關鍵是如何操作讀寫sram。主要是參考黑金動力區的建模篇使我對於時序的時序有了一定的提高。以下是RTL圖：
這里有三個模塊：一個是sram_read_module（對sram讀時序的具體實現） ,sram_write_module(對sram寫時序的具體實現），sram_control_module（控制sram讀寫操作）。此時可以看到我只是寫了框架：頂層的inout，和一些連線。因此輸出都是GND。那我如何驗證對sram讀寫的正確性呢？我使用的辦法是，通過uart。通過uart發送數據，寫入sram。然后讀sram，再通過uart發出。2014-11-13進行中。。。。。。。。。。。。。。
到現在2014-11-16sram的讀寫已經實現。但是具體的FPGA實現代碼不好加，那看看RTL。
串口調試助手截圖：
從上圖可以看出：會有一個字節的不對，那是因為sram的讀寫是16bit，如果寫入的是單個字節數就會有一個沒有寫入到ram中。但是，到此可以確定sram的讀寫是沒有問題的。